Publications

• Communication dans un congrès

Optimisation of antenna arrays for communication in tunnels

A. Nasr, J. Molina-Garcia-Pardo, M. Lienard, Pierre Degauque

3rd International Symposium on Wireless Communication Systems, ISWCS'06, 2006, Valencia, Spain. ⟨hal-00140185⟩

• Communication dans un congrès

Evaluation d'une démarche de modélisation d'équipements électroniques automobiles sur un sous-système réaliste

S. Egot, M. Klingler, L. Kone, S. Baranowski, F. Lafon, C. Marot

2006, pp.273-274. ⟨hal-00142609⟩

• Communication dans un congrès

Optoelectronic switch and memory devices based on polymer functionalized carbon nanotube transistors

J. Borghetti, Vincent Derycke, S. Lenfant, P. Chenevier, A. Filoramo, M. Goffman, D. Vuillaume, J.P. Bourgoin

Trends in NanoTechnologies, TNT2006, 2006, Grenoble, France. ⟨hal-00127137⟩

• Article dans une revue

Top-down approaches for the study of single-cells : micro-engineering and electrical phenotype

Vincent Senez, Tahsin Akalin, S. Arscott, Nour Eddine Bourzgui, Bertrand Bocquet, Teruo Fujii, Erwan Lennon, Takahisa Yamamoto

Single-cell analysis is a very important field of research and is currently at the frontier of physical and biological sciences. Understanding how the phenotype of a single-cell arises from its genotype is a complex topic. Currently, the prevailing paradigm to analyze cellular functions is the…

Advances in Science and Technology, 2006, 53, pp.97-106. ⟨10.4028/www.scientific.net/AST.53.97⟩. ⟨hal-00138742⟩

• Thèse

Utilisation des technologies CMOS SOI 130 nm pour des applications en gamme de fréquences millimétriques, 130 nm SOI CMOS technology for microwaves applications

Christophe Pavageau

La technologie CMOS SOI (« Silicon On Insulator ») a déjà montré son intérêt pour les circuits numériques par rapport à la technologie CMOS sur substrat massif (« bulk »). Avec l'entrée des technologies CMOS dans l'ère des dimensions nanométriques, les transistors atteignent des…, Silicon On Insulator (SOI) CMOS technology has already shown good performances for digital applications compared to bulk CMOS technology. At nanometer-scale, SOI CMOS transistors exhibit very high cut-off frequencies, enabling the design of millimeter-wave integrated circuits and therefore the…

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2005. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00011744v2⟩

• Brevet

Dispositif de manipulation de gouttes destiné à l'analyse biochimique, procédé de fabrication du dispositif, et système d'analyse microfluidique

J.C. Fourrier, F. Caron, P. Tabourier, C. Druon

N° de brevet: FR2871150 (A1). 2005. ⟨hal-00372422⟩

• Brevet

Dispositif pour désorption par rayonnement laser incorporant une manipulation de l'échantillon liquide sous forme de gouttes individuelles permettant leur traitement chimique et biochimique

J.C. Fourrier, F. Caron, J.P. Lepesant, D. Loyaux, C. Rolando, P. Tabourier, C. Druon

N° de brevet: FR2871076 (A1). 2005. ⟨hal-00372424⟩

• Communication dans un congrès

About the role played by the principles in the physics and mathematics by J.H. Poincaré

Raffaele Pisano

AIF Workshop Science & Teaching, 6th Dec., AIF Latina & GB Grassi Latina, Dec 2005, Latina, Italy. ⟨hal-04518908⟩

• Article dans une revue

Planar excitation of Goubau transmission lines for THz BioMEMS

A. Treizebre, Tahsin Akalin, Bertrand Bocquet

We propose and demonstrate an original planar excitation of a single wire transmission line also known as Goubau-Line (G-Line). The excitation is based on an electromagnetic transition between a coplanar waveguide and the desired G-line in a planar configuration. We present some characteristics for…

IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2005, 15 (12), pp.886-888. ⟨10.1109/LMWC.2005.859976⟩. ⟨hal-00147496⟩

• Article dans une revue

Optimisation of the parameters of an extended defect model applied to non-amorphizing implants

E. Lampin, Fuccio Cristiano, Youness Lamrani, Damien Connétable

In this paper, we present the optimisation of the parameters of a physical model of the kinetics of extended defects and applied the model with the optimised parameters to non-amorphizing implants. The model describes the small clusters, the {113} defects and the dislocation loops. In the first…

Materials Science and Engineering: B, 2005, 124-125, pp.397-400. ⟨10.1016/j.mseb.2005.08.032⟩. ⟨hal-03599806⟩