Publications

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  • Article dans une revue

Waveguide devices based on active metallic photonic crystals

O. Vanbésien, J. Danglot, D. Lippens

Annals of Telecommunications - annales des télécommunications, 2002, 57, pp.22-37. ⟨hal-00148643⟩

  • Communication dans un congrès

Application de la conjugaison de phase paramétrique pour l'imagerie non-linéaire ultrasonore

Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

Actes du 6ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2002, 2002, Lille, France. ⟨hal-00148703⟩

  • Communication dans un congrès

Inelastic electron tunnelling spectroscopy in n-MOS junctions with ultra-thin gate oxides

C. Petit, G. Salace, D. Vuillaume

12th Workshop on Dielectrics in Microelectronics, WoDiM, 2002, Grenoble, France. ⟨hal-00148711⟩

  • Autre publication scientifique

Dépôts de films actifs épais pour micro-systèmes

S. Euphrasie

2002. ⟨hal-00148670⟩

  • Communication dans un congrès

Réalisation de transistors InAlAs/InGaAs sur substrats reportés

I. Duszynski, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, X. Wallart, Sylvie Lepilliet, A. Cappy, E. Jalaguier

Actes des 9èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2002, 2002, St Aygulf, France. ⟨hal-00147827⟩

  • Communication dans un congrès

Long dephasing time and high temperature ballistic transport in an InGaAs open quantum dot

Yannick Roelens, Benoit Hackens, Sébastien Faniel, Cédric Gustin, Hervé Boutry, Isabelle Huynen, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy

International Conference on Superlattices Nano-structures and Nano-devices, ICSNN-02, Jul 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00147857⟩

  • Communication dans un congrès

An empirical non-linear model for MOSFET

A. Siligaris, Gilles Dambrine, Francois Danneville

High Frequency Device Modelling Workshop, 2002, Leuven, Belgium. ⟨hal-00147855⟩

  • Communication dans un congrès

Full impedance approach to modeling electrode effects on SAW propagating under a periodic metal grating

V. Zhang, Jean-Etienne Lefebvre, Tadeusz Gryba

2002, pp.347-350. ⟨hal-00147808⟩

  • Communication dans un congrès

Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité

M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, A. Minko, Virginie Hoel, D. Ducatteau, E. Delos, M.A. Poisson, F. Semond, Jean-Claude de Jaeger

GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149739⟩