Publications

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  • Article dans une revue

rf-sputtering of PMNT thin films

E. Fribourg-Blanc, Eric Cattan, Denis Remiens, M. Dupont, D. Osmont

Journal de Physique IV Proceedings, 2001, 11, pp.145-149. ⟨hal-00152482⟩

  • Article dans une revue

Effect of alkyl substituents on the adsorption of thienylenevinylene oligomers on the Si(100) surface

B. Grandidier, J.P. Nys, D. Stievenard, Christophe Krzeminski, C. Delerue, P. Frere, P. Blanchard, J. Roncali

Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 2001, 473, pp.1-7. ⟨hal-00152539⟩

  • Communication dans un congrès

Etude physique du phénomène de claquage dans les transistors à effet de champ à hétérojonctions

Michel Rousseau, M. Elkhou, Jean-Claude de Jaeger

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152652⟩

  • Communication dans un congrès

Détermination de caractéristiques I(V) en régime dynamique grand signal de transistors HEMTs AlGaN/GaN

N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, B. Boudart, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152654⟩

  • Communication dans un congrès

Laser ultrasonics characterization of surface residual stresses in steel rods

M.L. Qian, Marc Duquennoy, Mohammadi Ouaftouh, Frédéric Jenot, Mohamed Ourak

2001, pp.1487-1493. ⟨hal-00157810⟩

  • Article dans une revue

Theoretical simulation of free carrier mobility collapse in GaN in terms of dislocation walls

J-L Farvacque, Z. Bougrioua, I Moerman

Journal of Physics: Condensed Matter, 2000, 12 (49), pp.10213-10221. ⟨10.1088/0953-8984/12/49/321⟩. ⟨hal-02906495⟩

  • Article dans une revue

Quantifying the smoothing of GaN epilayer growth by in situ laser interferometry

A Stafford, S.J.C Irvine, Z. Bougrioua, K. Jacobs, I Moerman, E.J Thrush, L Considine

Journal of Crystal Growth, 2000, 221 (1-4), pp.142-148. ⟨10.1016/S0022-0248(00)00674-6⟩. ⟨hal-02906485⟩

  • Article dans une revue

Streaming and removal forces due to second-order sound field during megasonic cleaning of silicon wafers

Jerome O. Vasseur, P. Deymier, J. Vasseur, A. Khelif, Bahram Djafari-Rouhani, L. Dobrzynski, S. Raghavan

Journal of Applied Physics, 2000, 88 (11), pp.6821-6835. ⟨10.1063/1.1323521⟩. ⟨hal-03301993⟩