Publications

• Article dans une revue

2D-hydrodynamic energy model including breakdown phenomenon for power field effect transistor

Michel Rousseau, Jean-Claude de Jaeger

VLSI Systems Design, 2001, 13, pp.323-328. ⟨hal-00152593⟩

• Autre publication scientifique

Modélisation par éléments finis du comportement des alliages à mémoire de forme

S. Rafanomezantsoa

2001. ⟨hal-00151684⟩

• Communication dans un congrès

Photodissociation of hydrogen passivated dopants in gallium-arsenide

L. Tong, J.A. Larsson, M. Nolan, M. Murtagh, J.C. Greer, M. Barbe, F. Bailly, Jacques Chevallier, S. Silvestre, E. Constant, M. Constant

2001, pp.B-VIII.3. ⟨hal-00152515⟩

• Article dans une revue

Very low-voltage digital-audio sigma delta modulator with 88 dB dynamic range using local switch bootstrapping

M. Dessouki, A. Kaiser

IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2001, 36, pp.349-355. ⟨hal-00152201⟩

• Communication dans un congrès

Premiers essais de réalisation de nanostructures sur épitaxies et hétérostructures GaAs hydrogénées par écriture directe au masqueur électronique

L. Kurowski, S. Silvestre, D. Bernard-Loridant, E. Constant, B. Sieber

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152511⟩

• Article dans une revue

Stiction-controlled locking system for three-dimensional self-assembled microstructures : theory and experimental validation

Vincent Agache, Emmanuel Quévy, Dominique Collard, Lionel Buchaillot

The premise of our study lies in the controlled use of the phenomenon of stiction to lock three-dimensional self-assembled polycrystalline silicon (polysilicon) microstructures. The stiction refers to the permanent adhesion of the microstructures to adjacent surfaces. It can occur either during the…

Applied Physics Letters, 2001, 79, pp.3869-3871. ⟨10.1063/1.1418031⟩. ⟨hal-00152459⟩

• Article dans une revue

Ultrahigh frequency DC-to-DC converters using GaAs power switches

Sami Ajram, Georges Salmer

A detailed investigation of the switching characteristics for high frequency power devices based on different technologies has been provided: BJT, MOSFET, and MESFET/HEMT structures are considered. Advantages of GaAs power switches over silicon ones have been established and illustrated. Hybrid…

IEEE Transactions on Power Electronics, 2001, 16, pp.594-602. ⟨10.1109/63.949492⟩. ⟨hal-00152026⟩

• Communication dans un congrès

Sources directives à cavités photoniques : analogies avec les effets tunnel résonant

Tahsin Akalin, Jérôme Danglot, Olivier Vanbésien, Didier Lippens

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, Jan 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152083⟩

• Article dans une revue

Evidence of laser wavelength effect in picosecond ultrasonics : possible connection to interband transitions

Arnaud Devos, Catherine Lerouge

Physical Review Letters, 2001, 86, pp.2669-2672. ⟨hal-00151688⟩

• Communication dans un congrès

Effet d'auto-collimation pour des sources hyperfréquences à cavité à bande interdite photonique

Jérôme Danglot, Tahsin Akalin, Olivier Vanbésien, Didier Lippens

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, May 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152051⟩