Publications

• Autre publication scientifique

Techniques avancées pour les télécoms radio hertziennes et sur fibre optique : applications aux transports intelligents

Iyad Dayoub

2010. ⟨hal-00573142⟩

• Article dans une revue

Validation of the 2 temperatures noise model using pre-matched transistors in W-band for sub-65 nm technology

N. Waldhoff, Y. Tagro, D. Gloria, F. Gianesello, Francois Danneville, Gilles Dambrine

IEEE Microwave and Wireless Components Letters, 2010, 20, pp.274-276. ⟨10.1109/LMWC.2010.2045588⟩. ⟨hal-00548601⟩

• Article dans une revue

Thermal noise in MOSFETs : a two- or a three-parameter noise model ?

M. Emam, P. Sakalas, D. Vanhoenacker-Janvier, J.P. Raskin, T.C. Lim, Francois Danneville

IEEE Transactions on Electron Devices, 2010, 57, pp.1188-1191. ⟨10.1109/TED.2010.2044286⟩. ⟨hal-00548567⟩

• Communication dans un congrès

Noise characterization of mmW Si devices using classical and in-situ experimental set up

N. Waldhoff, Y. Tagro, L. Poulain, D. Gloria, Francois Danneville, Gilles Dambrine

European Microwave Week Workshops and Short Courses, Silicon Characterization from MHz to THz, 2010, Paris, France. ⟨hal-00573559⟩

• Communication dans un congrès

Résonateurs à ondes acoustiques guidées sur miroir de Bragg pour communications radio-fréquences

Issiaka Koné, Frédéric Domingue, Alexandre Reinhardt, Fabrice Casset, Marc Aïd, Jean-François Carpentier, Lionel Buchaillot, Bertrand Dubus

Les résonateurs à ondes acoustiques de volumes (appelés résonateurs BAW pour Bulk Acoustic Wave) sont des composants particulièrement attractifs pour les communications radio-fréquences (f > 1 GHz). Ils permettent de réaliser des filtres aux performances accrues et aux encombrements et coûts…

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00542598⟩

• Article dans une revue

Picosecond carrier lifetime in low-temperature-grown GaAsSb

X. Wallart, Christophe Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, Olivier Offranc, Ydir Androussi, Vincent Magnin, Jean-Francois Lampin

We study the influence of growth parameters on the properties of low-temperature-grown GaAsSb layers with 15–20% Sb. We demonstrate that a proper choice of growth conditions allows achieving monocrystalline as-grown layers exhibiting carrier lifetime around 1 ps and a resistivity higher than 1 kΩ·…

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2010, 3, pp.111202-1-3. ⟨10.1143/APEX.3.111202⟩. ⟨hal-00548732⟩

• Communication dans un congrès

Low temperature grown GaAsSb as photoconductive material near 1.06 µm

X. Wallart, Christophe Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, O. Offranc, V. Magnin, Jean-Francois Lampin

22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Kagawa, Japan. ⟨hal-00573575⟩

• Communication dans un congrès

DC and RF cryogenic behaviour of InAs/AlSb HEMTs

G. Moschetti, P.A. Nilsson, L. Desplanque, X. Wallart, H. Rodilla, J. Mateos, J. Grahn

22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Japan. pp.321-324, ⟨10.1109/ICIPRM.2010.5516313⟩. ⟨hal-00549956⟩

• Communication dans un congrès

Engineering superomniphobic surfaces on PDMS

R. Dufour, M. Harnois, V. Thomy, Yannick Coffinier, Rabah Boukherroub, V. Senez

Journées Nationales Communes du GDR Micro et Nano Fluidique et du Club Micro Capteurs Chimiques, 2010, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00574464⟩

• Communication dans un congrès

EWOD-based micromixing for fast protein sensing using SPR

G. Perry, N. Maalouli, B. Pinchemel, M. Bouazaoui, V. Thomy, Rabah Boukherroub

2nd European Conference on Microfluidics, µFlu'10, 2010, France. CD-ROM, paper 10-207, 1-6. ⟨hal-00568975⟩