Publications

• Article dans une revue

Laser ultrasonics and neural networks for the characterization of thin isotropic plates

F. Lefevre, Frédéric Jenot, Mohammadi Ouaftouh, Marc Duquennoy, P. Poussot, Mohamed Ourak

Review of Scientific Instruments, 2009, 80, pp.014901-1-6. ⟨10.1063/1.3070518⟩. ⟨hal-00473730⟩

• Article dans une revue

SU-8 photoresist and SU-8 based nanocomposites for broadband acoustical matching at 1 GHz

Assane Ndieguene, Pierre Campistron, Julien Carlier, S. Wang, Dorothée Debavelaere-Callens, Bertrand Nongaillard

So as to integrate acoustic functions in BioMEMS using 1 GHz ZnO transducers deposited on silicon substrates, acoustic waves propagation through the silicon substrate and its transmission in water needs to be maximized (the insertion losses at the Si / water interface are about 6dB). In the context…

Journal of Physics: Conference Series, 2009, 195, pp.012005-1-8. ⟨10.1088/1742-6596/195/1/012005⟩. ⟨hal-00473733⟩

• Article dans une revue

The inter-modes mixing effects in mode group diversity multiplexing

M. Awad, Iyad Dayoub, A. Okassa M'Foubat, Jean-Michel Rouvaen

Optics Communications, 2009, 282, pp.3908-3917. ⟨10.1016/j.optcom.2009.06.065⟩. ⟨hal-00471836⟩

• Article dans une revue

MMICs time-domain electrical physical simulator adapted to the parallel computation

A. El Moussati, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Dalle

International Journal of Numerical Modelling: Electronic Networks, Devices and Fields, 2009, 22, pp.279-296. ⟨10.1002/jnm.706⟩. ⟨hal-00473652⟩

• Article dans une revue

Selective area growth of GaN-based structures by molecular beam epitaxy on micrometer and nanometer size patterns

Yvon Cordier, Fabrice Semond, Jean-Christophe Moreno, Éric Frayssinet, Brahim Benbakhti, Z. Cao, Sébastien Chenot, Lee Nguyen, Olivier Tottereau, Ali Soltani, Karine Blary

In this work, we describe the main features of selective area growth (SAG) of GaN by molecular beam epitaxy (MBE) using ammonia. Different schemes such as growth into micrometer and nanometer size windows in Si3N4 dielectric masks and mesa structures etched on GaN or Silicon substrate are studied.

Materials Science in Semiconductor Processing, 2009, 12, pp.16-20. ⟨10.1016/j.mssp.2009.07.003⟩. ⟨hal-00473644⟩

• Article dans une revue

High frequency ultrasonic detection of C-crack defects in silicon nitride bearing balls

F. Deneuville, Marc Duquennoy, Mohammadi Ouaftouh, Mohamed Ourak, Frédéric Jenot, S. Desvaux

Ultrasonics, 2009, 49, pp.89-93. ⟨10.1016/j.ultras.2008.06.010⟩. ⟨hal-00473716⟩

• Article dans une revue

Use of the circuit approach to solve large EMC problems

S. Leman, B. Demoulin, O. Maurice, M. Cauterman, P. Hoffmann

Comptes Rendus. Physique, 2009, 10, pp.70-82. ⟨10.1016/j.crhy.2009.01.006⟩. ⟨hal-00473696⟩

• Article dans une revue

(6 x 2) Reconstruction of the Ag/Si(111) surface at 77 K (vol 603, pg 311, 2009) - Corrigendum

A. Urbieta, K. Schulte, B. Grandidier, D. Deresmes, S.C. Erwin, D. Stievenard

Surface Science : A Journal Devoted to the Physics and Chemistry of Interfaces, 2009, 603, pp.1079-1079. ⟨10.1016/j.susc.2009.02.002⟩. ⟨hal-00473064⟩

• Thèse

Conception et réalisation de composants acousto-optiques pour le filtrage optique accordable, Design and realization of acousto-optical devices for tunable optical filtering

Hichem Benaissa

Un état de l'art des différentes configurations d'interactions employées pour les filtres acousto-optiques est donné. Nous présentons ensuite un mode d'interaction anisotrope permettant une interaction efficace quelle que soit la polarisation lumineuse. Cette configuration est…, An overview of different configurations of interactions used for acousto-optical filters is given. First, we present a mode of interaction allowing an anisotropic effective interaction regardless of the incident light polarization. This configuration is used for achieving an acousto-optical…

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2008. Français. ⟨NNT : 2008VALE0039⟩. ⟨hal-00362350⟩

• Thèse

Transport électronique couplé à la microscopie en champ proche des transistors à nanotube de carbone: application à la détection de charges, Coupling electronic transport and scanning probe microscopy of carbon nanotube field effect transistors: application to charge detection

David Brunel

Un nanotube de carbone est une molécule tubulaire dont les propriétés électroniques et quantiques sont tout à fait remarquables. Lorsqu'il est utilisé en tant que canal de conduction d'un transistor à effet de champ, il est possible de détecter électriquement la présence de charges…, A carbon nanotube is a tubular molecule with electronic and quantic properties very passionating. When a nanotube is used as conduction channel of a transistor, it is possible to detect electricaly the presence of charges stored at the vicinity, creating then an ultime non volatile memory device.…

Physique [physics]. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00453939⟩