Publications

• Communication dans un congrès

Influence du retournement temporel sur la localisation au sein d'un réseau ad hoc

Michael Bocquet, Christophe Loyez, M. Friziel, N. Rolland

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. papier 51, 6F3, 1-4. ⟨hal-00603135⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation et analyse des effets de pièges électriques sur la fiabilité de HEMTS AlGaN/GaN

F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, V. Sbrugnera, B. Grimbert, Christophe Gaquière

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.4C3, 1-4. ⟨hal-00603136⟩

• Communication dans un congrès

Amélioration des performances électriques en régime statique et hyperfréquence de transistors HEMTs pseudomorphiques de la filière GaAs en utilisant des rayonnements ionisants

F. Berthet, Y. Guhel, H. Galous, B. Boudart, J.L. Trolet, M. Piccione, N. Vellas, Christophe Gaquière

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, Brest, France. pp.6E9, 1-4. ⟨hal-00603138⟩

• Article dans une revue

Large array of sub-10-nm single-grain Au nanodots for use in nanotechnology

N. Clement, G. Patriarche, K. Smaali, Francois Vaurette, K. Nishiguchi, David Troadec, A. Fujiwara, D. Vuillaume

A uniform array of single-grain Au nanodots, as small as 5-8 nm, can be formed on silicon using e-beam lithography. The as-fabricated nanodots are amorphous, and thermal annealing converts them to pure Au single crystals covered with a thin SiO2 layer. These findings are based on physical…

Small, 2011, 7, pp.2607-2613. ⟨10.1002/smll.201100915⟩. ⟨hal-00639861⟩

• Article dans une revue

Evaluation of a gate capacitance in the sub-aF range for a chemical field-effect transistor with a silicon nanowire channel

N. Clement, K. Nishiguchi, A. Fujiwara, D. Vuillaume

An evaluation of the gate capacitance of a fieldeffect transitor (FET) whose channel length and width are several ten nanometer, is a key point for sensors applications. However, experimental and precise evaluation of capacitance in the aF range or less has been extremely difficult. Here, we report…

IEEE Transactions on Nanotechnology, 2011, 10 (5), pp.1172-1179. ⟨10.1109/TNANO.2011.2123913⟩. ⟨hal-00639857⟩

• Communication dans un congrès

Antenne microstrip alimentée par fente inversée pour l'intégration hétérogène 3D (system-in-package) en gamme millimétrique [60GHz]

T. Sarrazin, R. Crunelle, O. Lafond, Mohamed Himdi, N. Rolland

17èmes Journées Nationales Micro-ondes, JNM 2011, 2011, France. papier 327, 4E7, 1-4. ⟨hal-00597140⟩

• Article dans une revue

Wurtzite-zincblende superlattices in InAs nanowires using a supply interruption method

J. Bolinsson, P. Caroff, B. Mandl, K.A. Dick

Nanotechnology, 2011, 22, pp.265606-1-10. ⟨10.1088/0957-4484/22/26/265606⟩. ⟨hal-00597079⟩

• Article dans une revue

Performance of multi-relay coded cooperative diversity in asynchronous code-division multiple-access over fading channels

A. Eid, W. Hamouda, Iyad Dayoub

IET Communications, 2011, 5, pp.683-692. ⟨10.1049/iet-com.2010.0478⟩. ⟨hal-00597103⟩

• Article dans une revue

Unit cell structure of crystal polytypes in InAs and InSb nanowires

D. Kriegner, C. Panse, B. Mandl, K.A. Dick, M. Keplinger, J.M. Persson, P. Caroff, D. Ercolani, L. Sorba, F. Bechstedt, J. Stangl, G. Bauer

Nano Letters, 2011, 11, pp.1483-1489. ⟨10.1021/nl1041512⟩. ⟨hal-00591318⟩

• Article dans une revue

Structural, ferroelectric and dielectric properties of In2O3:Sn (ITO) on PbZr0.53 Ti 0.47O3 (PZT)/Pt and annealing effect

L. Kerkache, A. Layadi, El Hadj Dogheche, Denis Remiens

Journal of Alloys and Compounds, 2011, 509, pp.6072-6076. ⟨10.1016/j.jallcom.2011.03.022⟩. ⟨hal-00591328⟩