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Strain relaxation and thermal effects on the drain conductance in AlGaN/GaN HEMT
A. Telia, A. Bellakhdar, L. Semra, A. Soltani
2nd Saudi International Electronics, Communications and Photonics Conference, SIECPC 2013, 2013, Riyadh, Saudi Arabia. 6 p., ⟨10.1109/SIECPC.2013.6550780⟩. ⟨hal-00877787⟩
Larges bandes interdites phononiques dans une structure de piliers coniques déposés sur un substrat piézoélectrique
Abdelali Mrabti, Mourad Oudich, Abdellatif Akjouj, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Abdelkrim Talbi, Jérémy Streque, Yu Du, Ali Soltani, Philippe Pernod
16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. papier 95, 3 p. ⟨hal-00977478⟩
Cavity modes and optomechanic interactions in phoxonic crystals
Said El-Jallal, M. Oudich, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani
IEEE International Ultrasonics Symposium, IUS 2013, 2013, Prague, Czech Republic. ⟨hal-00944047⟩
Addition of HfO$_2$ interface layer for improved synaptic performance of phase change memory (PCM) devices
M. Suri, O. Bichler, Q. Hubert, L. Perniola, V. Sousa, C. Jahan, D. Vuillaume, C. Gamrat, B. de Salvo
Solid-State Electronics, 2013, 79, pp.227-232. ⟨10.1016/j.sse.2012.09.006⟩. ⟨hal-00795982⟩
A crown-ether loop-derivatized oligothiophene doubly attached on gold surface as cation-binding switchable molecular junction
T.K. Tran, K. Smaali, M. Hardouin, Q. Bricaud, M. Oçafrain, P. Blanchard, S. Lenfant, S. Godey, J. Roncali, D. Vuillaume
Advanced Materials, 2013, 25, pp.427-431. ⟨10.1002/adma.201201668⟩. ⟨hal-00796399⟩
Ajout d'un recuit dédié à la réduction de la résistance extrinsèque de base dans les TBH SiGe:C DPSA-SEG
Elodie Canderle
16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. 4 p. ⟨hal-00957780⟩
Caractérisation et modélisation en petit signal de transistor bipolaire à hétérojonction Si/SiGe:C jusqu'à 220 GHz
Marina Deng
16èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2013, 2013, Grenoble, France. 4 p. ⟨hal-00957773⟩
AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrate with 206-GHz FMAX
S. Bouzid-Driad, H. Maher, N. Defrance, Virginie Hoel, Jean-Claude de Jaeger, M. Renvoise, P. Frijlink
IEEE Electron Device Letters, 2013, 34, pp.36-38. ⟨10.1109/LED.2012.2224313⟩. ⟨hal-00796433⟩
Temperature and damping effects on the frequency dependence of electrostatic force microscopy force gradients
R. Arinero, J. Trasobares, Pascal Girard, M. Ramonda, N. Clément
Journal of Applied Physics, 2013, 114 (21), pp.214315. ⟨10.1063/1.4843835⟩. ⟨hal-00916277⟩
Acoustic wave localization in one-dimensional Fibonacci phononic structures with mirror symmetry
Anne-Christine Hladky, Jerome O. Vasseur, S. Degraeve, C. Granger, M. de Billy
Journal of Applied Physics, 2013, 113 (15), pp.154901. ⟨10.1063/1.4801890⟩. ⟨hal-00816416⟩