Publications

• Communication dans un congrès

Synthèse et propriétés électriques de la jonction moléculaire Si/SiO2/σ-C60-σ/Hg

David Guérin, S. Lenfant, D. Vuillaume

Colloque Matériaux et Nanostrutures π-conjugés, MNPC09, 2009, Arcachon, France. ⟨hal-00575266⟩

• Article dans une revue

Acoustic waves in solids and fluid layered materials

E.H. El Boudouti, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj, L. Dobrzynski

Surface Science Reports, 2009, 64, pp.471-594. ⟨10.1016/j.surfrep.2009.07.005⟩. ⟨hal-00473067⟩

• Article dans une revue

Atomic-scale modeling of the interaction between short polypeptides and carbon surfaces

G. Gianese, V. Rosato, F. Cleri, M. Celino, P. Morales

Journal of Physical Chemistry B, 2009, 113, pp.12105-12112. ⟨10.1021/jp903652v⟩. ⟨hal-00473075⟩

• Article dans une revue

Experimental and theoretical evidence for subwavelength imaging in phononic crystals

A. Sukhovich, B. Merheb, K. Muralidharan, Jerome O. Vasseur, Yan Pennec, P.A. Deymier, J.H. Page

Physical Review Letters, 2009, 102, pp.154301-1-4. ⟨10.1103/PhysRevLett.102.154301⟩. ⟨hal-00473085⟩

• Article dans une revue

High thermally induced index variations with short response time in InP/GaInAsP/InP waveguide Schottky diodes

N. Saadsaoud, Malek Zegaoui, Didier Decoster, El Hadj Dogheche, X. Wallart, Jean Chazelas

Thermally induced index variations as high as 0.1 were recorded in InP/GaAsInP1.15/InP waveguide Schottky diodes for 1W/mm electrical power per electrode length. Pulse response characterisation showed almost 700ns response time for 1s square pulses under forward biased conditions (I=20mA, V=300mV).

Electronics Letters, 2009, 45 (15), pp.802-803. ⟨10.1049/el.2009.0696⟩. ⟨hal-00473047⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

J.C. Gerbedoen, Ali Soltani, M. Mattalah, M. Moreau, P. Thevenin, Jean-Claude de Jaeger

Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by MW-PECVD, is an insulator permitting to obtain a low leakage current gate, an…

Diamond and Related Materials, 2009, 18, pp.1039 - 1042. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.018⟩. ⟨hal-00435395⟩

• Article dans une revue

Molecular dynamics simulations of the solid phase epitaxy of Si : growth mechanism and orientation effects, simulations en dynamique moléculaire de l'épitaxie en phase solide du silicium: mécanismes de croissance et influence de l'orientation cristalline

E. Lampin, Christophe Krzeminski

The solid phase epitaxy of an amorphous layer on crystalline silicon is studied by means of molecular dynamics. Three stacks of 5120, 4928, and 5184 atoms respectively oriented along the [100], [110], and [111] directions are annealed with the Tersoff interatomic potential. The regrowth proceeds…

Journal of Applied Physics, 2009, 106, pp.063519. ⟨10.1063/1.3211972⟩. ⟨hal-00471990v2⟩

• Communication dans un congrès

Spectroscopie terahertz d'un métamatériau gaucher constitué d'un empilement de réseaux métalliques sous longueur d'onde

Charles Croënne, F. Garet, Eric Lheurette, J.L. Coutaz, D. Lippens

16èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2009, 2009, France. pp.4E-4, 1-4. ⟨hal-00480413⟩

• Thèse

Conception et réalisation de composants acousto-optiques pour le filtrage optique accordable, Design and realization of acousto-optical devices for tunable optical filtering

Hichem Benaissa

Un état de l'art des différentes configurations d'interactions employées pour les filtres acousto-optiques est donné. Nous présentons ensuite un mode d'interaction anisotrope permettant une interaction efficace quelle que soit la polarisation lumineuse. Cette configuration est…, An overview of different configurations of interactions used for acousto-optical filters is given. First, we present a mode of interaction allowing an anisotropic effective interaction regardless of the incident light polarization. This configuration is used for achieving an acousto-optical…

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2008. Français. ⟨NNT : 2008VALE0039⟩. ⟨hal-00362350⟩

• Thèse

Transport électronique couplé à la microscopie en champ proche des transistors à nanotube de carbone: application à la détection de charges, Coupling electronic transport and scanning probe microscopy of carbon nanotube field effect transistors: application to charge detection

David Brunel

Un nanotube de carbone est une molécule tubulaire dont les propriétés électroniques et quantiques sont tout à fait remarquables. Lorsqu'il est utilisé en tant que canal de conduction d'un transistor à effet de champ, il est possible de détecter électriquement la présence de charges…, A carbon nanotube is a tubular molecule with electronic and quantic properties very passionating. When a nanotube is used as conduction channel of a transistor, it is possible to detect electricaly the presence of charges stored at the vicinity, creating then an ultime non volatile memory device.…

Physique [physics]. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2008. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00453939⟩