Publications

• Communication dans un congrès

Intérêts de la technologie CMOS SOI pour les applications micro-ondes faible tension faible consommation

M. Dehan, B. Parvais, Gilles Dambrine, J.P. Raskin

3èmes Journées Francophones d'Etudes Faible Tension Faible Consommation, FTFC'2001, 2001, Bruxelles, Belgique. ⟨hal-00151782⟩

• Chapitre d'ouvrage

Acoustique Picoseconde à longueur d'onde variable

Arnaud Devos

P. 9. Préface / Pierre Laporte et François Salin P. 11. Introduction - Le réseau des technologies des lasers femtosecondes. La mission ressources et compétences technologiques du CNRS / Gérard Lelièvre et Catherine Leblanc Communications P.27. Technologie des sources femtosecondes historique et…

Salin, François and Laporte, Pierre. Systèmes femtosecondes, 1, PUSE-MRCT-CNRS, pp.385-388, 2001, Intégrations [des savoirs et savoir-faire], 2-86272-210-3. ⟨hal-01473495⟩

• Communication dans un congrès

Investigation of refractive index and optical propagation loss in gallium nitride based waveguides

El Hadj Dogheche, P. Ruterana, G. Nouet, F. Omnes, P. Gibart

4th International Conference on Nitride Semiconductors, 2001, United States. pp.429-432. ⟨hal-00250411⟩

• Article dans une revue

Theory of electrical rectification in a molecular monolayer

Christophe Krzeminski, Christophe Delerue, Guy Allan, Dominique Vuillaume, Robert M Metzger

The current-voltage characteristics in Langmuir-Blodgett monolayers of γ-hexadecylquinolinium tricyanoquinodimethanide (C16H33Q−3CNQ) sandwiched between Al or Au electrodes is calculated, combining ab initio and self-consistent tight-binding techniques. The rectification current depends not only on…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2001, 64, 8, pp.085405. ⟨10.1103/PhysRevB.64.085405⟩. ⟨hal-00018578⟩

• Communication dans un congrès

C16H33-Q-3CNQ, a molecular diode ?

Christophe Krzeminski, Christophe Delerue, Guy Allan, Dominique Vuillaume

Electron Transport on the Molecular Scale, Feb 2001, Dresden, Germany. ⟨hal-00152155⟩

• Article dans une revue

Finite element modeling of lead magnesium niobate electrostrictive materials : dynamic analysis

J. Coutte, J.C. Debus, Bertrand Dubus, R. Bossut

Journal of the Acoustical Society of America, 2001, 109, pp.1403-1411. ⟨hal-00151686⟩

• Article dans une revue

Growth of strained Ga_1-xIn_xP layers on GaP (001) by gas source molecular beam epitaxy: similarities and differences with the growth of strained arsenides

X. Wallart, D. Deresmes, F. Mollot

Using reflection high energy electron diffraction and atomic force microscopy, the growth of Ga1−xInxP alloys on GaP (0 0 1) with x varying from 0.2 to 1 (InP) is investigated and compared to that of arsenides on GaAs (0 0 1) or InP (0 0 1). At 520°C, the evolution of the critical thickness for 3D…

• Communication dans un congrès

Acoustical and optical gallium nitride waveguides grown on Si(111) by metalorganic vapor phase epitaxy

H.P.D. Schenk, E. Feltin, M. Vaille, P. Gibart, R. Kunze, H. Schmidt, M. Weihnacht, El Hadj Dogheche

4th International Conference on Nitride Semiconductors, 2001, United States. pp.537-541. ⟨hal-00250412⟩

• Article dans une revue

Influence of low-temperature buffer layers on the optical waveguiding properties of AlxGa1-xN alloys

El Hadj Dogheche, P. Ruterana, F. Omnes

Journal of Applied Physics, 2001, 90, pp.4411-4414. ⟨hal-00250414⟩

• Communication dans un congrès

Transistors et circuits AlInAs/InGaAs pour applications millimétriques et sub-millimétriques

S. Bollaert, A. Cappy

Atelier CNES, 2001, Toulouse, France. ⟨hal-00151773⟩