Publications

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  • Communication dans un congrès

Grazing incidence diffraction anomalous fine structure of self-assembled semiconductor nanostructures

S. Grenier, A. Letoublon, M.G. Proietti, Hubert Renevier, L. Gonzalez, J.M. Garcia, C. Priester, J. Garcia

2002, pp.24-33. ⟨hal-00149685⟩

  • Communication dans un congrès

Diffusion d'un élement V à partir d'une surface d'un semiconducteur III-V, influence de la reconstruction et de la morphologie

C. Priester

Journées Surfaces et Interfaces, JSI 2002, 2002, Toulouse, France. ⟨hal-00149684⟩

  • Communication dans un congrès

Modélisation numérique et caractérisation expérimentale du champ de cavitation ultrasonore

P. Mosbah, Bertrand Dubus, O. Ledez, C. Campos-Pozuelo, C. Granger

2002, pp.747-750. ⟨hal-00147777⟩

  • Article dans une revue

Fast electromagnetic characterization method of film-shaped materials using coplanar up to V-band

J. Hinojosa, K. Lmimouni, Gilles Dambrine

Electronics Letters, 2002, 38, pp.373-374. ⟨hal-00147838⟩

  • Communication dans un congrès

Solid-state 8 GHz transient signal digitizer characterization

A. Ghis, P. Ouvrier-Buffet, N. Rolland, A. Benlarbi-Delai, P.A. Rolland, D. Glay, D. Jaeger

2002, pp.1673-1676. ⟨hal-00148329⟩

  • Article dans une revue

Photodissociation of hydrogen passivated dopants in gallium arsenide

L. Tong, J.A. Larsson, M. Nolan, M. Murthag, J.C. Greer, M. Barbe, F. Bailly, Jérome Chevalier, S. Sylvestre, D. Loridant-Bernard, E. Constant, M. Constant

A theoretical and experimental study of the photo-dissociation mechanisms of hydrogen passivated n- and p-type dopants in gallium arsenide is presented. The photo-induced dissociation of the SiGa–H complex has been observed for relatively low photon energies (3.48 eV), whereas the photo-…

Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms, 2002, 186, pp.234-239. ⟨10.1016/S0168-583X(01)00949-1⟩. ⟨hal-00278930⟩