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Performances of AlGaN/GaN HEMTs in planar technology
M. Werquin, N. Vellas, Y. Guhel, D. Ducatteau, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière
2004, pp.303-306. ⟨hal-00142305⟩
Carrier mobility versus carrier density in Al x Ga 1 − x N / G a N quantum wells
J.-L. Farvacque, Z. Bougrioua
Physical Review B, 2003, 68 (3), ⟨10.1103/PhysRevB.68.035335⟩. ⟨hal-02906527⟩
Improved AlGaN/GaN high electron mobility transistor using AlN interlayers
A. Jimenez, Z. Bougrioua, J. Tirado, A. Braña, E. Calleja, E. Munoz, I. Moerman
Applied Physics Letters, 2003, 82 (26), pp.4827-4829. ⟨10.1063/1.1588379⟩. ⟨hal-02906528⟩
AlGaN/GaN HEMTS: material, processing, and characterization
F. Calle, T. Palacios, E. Monroy, J. Grajal, M. Verdu, Zahia Bougrioua, Ingrid Moerman
Journal of Materials Science: Materials in Electronics, 2003, 14 (5/7), pp.271-277. ⟨10.1023/A:1023951323307⟩. ⟨hal-02906523⟩
Evidence of an impurity band at an n-GaN/sapphire interface
C. Mavroidis, J.J. Harris, R.B. Jackman, Z. Bougrioua, I. Moerman
Diamond and Related Materials, 2003, 12 (3-7), pp.1127-1132. ⟨10.1016/S0925-9635(02)00395-3⟩. ⟨hal-02906520⟩
Low frequency noise behaviour in AlGaN/GaN HEMT's
Abdelali Rennane, Laurent Bary, Jean-Guy Tartarin, Y. Guhel, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, S. Delage, Jacques Graffeuil, Robert Plana
12th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech 2003, 2003, San Rafael, Spain. ⟨hal-00146693⟩
Premiers résultats de puissance à 4 GHz obtenus sur HEMTs AlGaN/GaN en technologie planar
N. Vellas, Y. Guhel, Christophe Gaquière, B. Boudart, J.C. Pesant, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger
2003, pp.4A2-1. ⟨hal-00146692⟩
Influence d'une passivation précédée d'un traitement de surface sur le comportement électrique en régime statique d'un HEMT AlGaN/GaN
Y. Guhel, B. Boudart, N. Vellas, Christophe Gaquière, E. Delos, D. Ducatteau, Z. Bougrioua, Marie Germain, Jean-Claude de Jaeger
2003, pp.1D-11. ⟨hal-00146690⟩
Evolution de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, Boubekeur Tala-Ighil, H. Toutah, Yannick Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marianne Germain, Ingrid Moerman
13es Journées Nationales Microondes, 2003, Lille, France. ⟨hal-01654259⟩
Evolutions de caractéristiques statiques de HEMTs AlGaN/GaN soumis à un stress électrique réalisé à différentes températures
B. Boudart, Jean-François Llibre, D. Briand, B. Tala-Ighil, H. Toutah, Y. Guhel, Jean-Claude de Jaeger, Z. Bougrioua, Marie Germain, I. Moerman
2003, pp.1D-10. ⟨hal-00146659⟩