Publications

• Communication dans un congrès

Simulation de dépôt/infiltration chimique basée sur des images 3D : approche locale

W. Ros, G.L. Vignoles, C. Germain, P. Supiot

MATERIAUX 2010, Conférence pluridisciplinaire sur les matériaux, 2010, France. pp.1-4. ⟨hal-00573234⟩

• Communication dans un congrès

Graphene growth by molecular beam epitaxy on the carbon face of SiC

E. Moreau, S. Godey, F.J. Ferrer, D. Vignaud, X. Wallart, J. Avila, M.C. Asensio, F. Bournel, J.J. Gallet

2nd International Symposium on the Science and Technology of Epitaxial Graphene, STEG2, 2010, Amelia Island, FL, United States. ⟨hal-00573660⟩

• Communication dans un congrès

Engineering superomniphobic surfaces on PDMS

R. Dufour, M. Harnois, V. Thomy, Yannick Coffinier, Rabah Boukherroub, V. Senez

13èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2010, 2010, France. pp.CD-ROM, Session Matériaux 1, 1-4. ⟨hal-00573232⟩

• Autre publication scientifique

Etude des effets d'interface sur les propriétés en basse fréquence des couches minces ferroélectriques Pb(Zr,Ti)O3

Nossikpendou Sama

2010. ⟨hal-00572740⟩

• Autre publication scientifique

Module radio millimétrique ultra faible consommation pour réseaux de capteurs

Ling Jin

2010. ⟨hal-00572684⟩

• Autre publication scientifique

Développement d'une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue d'applications terahertz

Estelle Mairiaux

2010. ⟨hal-00572686⟩

• Autre publication scientifique

Fabrication et caractérisation de transistors à effet de champ de la filière III-V pour applications basse consommation

Aurélien Olivier

2010. ⟨hal-00572685⟩

• Autre publication scientifique

Synthèse et caractérisation de silicium cristallin par croissance vapeur liquide solide (VLS) pour l'intégration en trois dimensions (3D) séquentielle de transistors MOS

Aurélie Lecestre

2010. ⟨hal-00572697⟩

• Autre publication scientifique

Méthodes de diagnostic filaire embarqué pour des réseaux complexes

Adrien Lelong

2010. ⟨hal-00572716⟩

• Article dans une revue

Influence of the selectively implanted collector integration on 400 GHz fmax Si/SiGe:C HBTs

Thomas Lacave, Pascal Chevalier, Yves Campidelli, Linda Depoyan, Ludovic Berthier, Frédéric André, Michel Buczko, Gregory Avenier, Christophe Gaquière, Alain Chantre

Optimization of SiGe HBT performances towards very high cut-off frequencies fT and fMAX requires high collector doping level together with low collector/base junction capacitance CBC. This compromise is usually achieved by localizing a dedicated collector implant (so-called SIC implant) under the…

ECS Transactions, 2010, 33 (6), pp.331-335. ⟨10.1149/1.3487563⟩. ⟨hal-00550006⟩