Publications

• Thèse

Développement de résonateurs électromécaniques en technologie Silicon On Nothing, à détection capacitive et amplifiée par transistor MOS, en vue d'une co-intégration permettant d'adresser une application de référence de temps, Development of electromechanical resonators using a Silicon On Nothing technology, with capacitive and enhanced MOSFET detection, in a perspective of a co-integration to address time reference applications

Cédric Durand

Les résonateurs électromécaniques (MEMS), de part leurs bonnes performances, leur petite taille, ou encore leurs possibilités d'intégration au plus proche des transistors, présentent un fort potentiel pour le remplacement des quartz dans les applications de référence de temps. Dans ce contexte…, Due to good performances, small size, or either integration possibilities very close to transistors, electromechanical resonators offer a strong potential for quartz replacement in time reference applications. In this context, we propose to develop electromechanical resonators in a perspective of a…

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2009. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00375804⟩

• Communication dans un congrès

Intégration Mixte SiP/SoC d'un Transmetteur en Technologie CMOS/BiCMOS/BAW/IPD pour des Applications Multimodes WCDMA/DCS

Eric Kerhervé, Andreas Kaiser

FETCH 2009, Jan 2009, Chexbres, Suisse. ⟨hal-00401324⟩

• Article dans une revue

Ferroelectric tunable balanced right- and left-handed transmission lines

A. Marteau, G. Velu, G. Houzet, Ludovic Burgnies, Eric Lheurette, Jean-Claude Carru, D. Lippens

Applied Physics Letters, 2009, 94 (2), pp.023507. ⟨10.1063/1.3068495⟩. ⟨hal-00471867⟩

• Autre publication scientifique

Réalisation et caractérisation d'un laser DFB bi-mode pour applications radio sur fibre

Stéphane Ginestar

2009. ⟨hal-00572793⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à la caractérisation et à la modélisation des canaux MIMO

Abdelmottaleb Nasr

2009. ⟨hal-00573106⟩

• Autre publication scientifique

Conception, fabrication et caractérisation de sources d'électronébulisation micro et nanofluidiques en technologie silicium

Cédric Descatoire

2009. ⟨hal-00572794⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN MISHEMT with hBN as gate dielectric

J.C. Gerbedoen, Ali Soltani, M. Mattalah, M. Moreau, P. Thevenin, Jean-Claude de Jaeger

Metal/Insulator/Semiconductor AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors (MISHEMTs) on sapphire substrate were fabricated with hexagonal Boron Nitride (hBN) thin film as gate dielectric. The hBN thin film, deposited by MW-PECVD, is an insulator permitting to obtain a low leakage current gate, an…

Diamond and Related Materials, 2009, 18, pp.1039 - 1042. ⟨10.1016/j.diamond.2009.02.018⟩. ⟨hal-00435395⟩

• Communication dans un congrès

Estimation séquentielle et conjointe du bruit de phase, de l'offset en fréquence et des symboles émis dans les systèmes OFDM

F. Septier, Y. Delignon, Atika Rivenq, C. Garnier

Atelier Traitement et Analyse de l'Information : Méthodes et Applications, TAIMA 2009, 2009, Hammamet, Tunisie. ⟨hal-00810741⟩

• Communication dans un congrès

Analyse du comportement HF d'une sous-station d'alimentation ferroviaire par homothétie physique et géométrique

H. Ouaddi, S. Baranowski, G. Nottet, B. Demoulin, L. Kone

TELECOM'2009 & 6èmes Journées Franco-Maghrébines des Micro-ondes et leurs Applications, 2009, Maroc. pp.C1-2, 1-4. ⟨hal-00573505⟩

• Communication dans un congrès

Comparing InSb, InAs, and InSb/InAs nanowire MOSFETs

Hans Nilsson, P. Caroff, E. Lind, C. Thelander, L.E. Wernersson

67th Device Research Conference, 2009, State College, PA, United States. ⟨hal-00574849⟩