Publications

• Article dans une revue

InAlN/GaN MOS-HEMT with thermally grown oxide

M. Alomari, F Medjdoub, E. Kohn, M.A. Di Forte-Poisson, S. Delage, J.F. Carlin, N. Grandjean, Christophe Gaquière

International Journal of High Speed Electronics and Systems, 2009, 19, pp.137-144. ⟨10.1142/S0129156409006187⟩. ⟨hal-00473433⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN HEMT high power densities on SiC/SiO2/poly-SiC substrates

N. Defrance, Virginie Hoel, Y. Douvry, Jean-Claude de Jaeger, Christophe Gaquière, Xing Tang, Michel Rousseau, M.A. Di Forte-Poisson, J. Thorpe, H. Lahreche, R. Langer

IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.596-598. ⟨10.1109/LED.2009.2019972⟩. ⟨hal-00473428⟩

• Article dans une revue

Impact of carrier frequency offsets on Block-IFDMA systems

E.P. Simon, Virginie Degardin, M. Lienard

Recently, a new multiple access (MA) scheme called block-interleaved frequency division multiple access (B-IFDMA) is under consideration as an MA scheme candidate for 4G wireless applications. In this paper, the two variants of B-IFDMA are considered, the joint- DFT B-IFDMA and the added-signal B-…

EURASIP Journal on Wireless Communications and Networking, 2009, 2009, pp.483128. ⟨10.1155/2009/483128⟩. ⟨hal-00473688⟩

• Communication dans un congrès

Etude expérimentale et numérique de l'instabilité de Faraday entre deux liquides miscibles

Farzam Zoueshtiagh, Sakir Amiroudine, Ranga Narayanan

Nous avons étudié l'instabilité paramétrique de Faraday dans le cas particulier d'une interface entre deux liquides miscibles. Dans cette configuration l'instabilité développée est transitoire et ses caractéristiques physiques dépendent de l'épaisseur de l'interface. Nous…

CFM 2009 - 19ème Congrès Français de Mécanique, Aug 2009, Marseille, France. ⟨hal-03390927⟩

• Proceedings/Recueil des communications

On mechanical science: Leonardo, Tartaglia, Galilei and Lorini

Raffaele Pisano, Danilo Capecchi

Ideas and Instruments in Social Context. Proceedings of 23rd International congress of history of science, ideas and instruments in social context, pp.686-687, 2009. ⟨hal-04515842⟩

• Chapitre d'ouvrage

Vers l'intégration monolithique d'hétérostructures et de nanostructures III-V et Ge sur silicium pour la microélectronique et l'optoélectronique

G. Saint-Girons, M. Gendry, H. Dumont, P. Regreny, J. Cheng, K. Naji, B. Vilquin, G. Niu, G. Grenet, Y. Robach, G. Hollinger, G. Patriarche, L. Largeau, C. Priester, I. Devos

Leray J.L., Boudenot J.C., Gautier J. La micro-nano électronique, enjeux et mutations, CNRS ÉDITIONS, pp.179-182, 2009. ⟨hal-00575787⟩

• Communication dans un congrès

Impact of the gate layout on the performance of RF power nLDMOSFETs integrated in a 0.13-µm CMOS technology

D. Fournier, D. Ducatteau, E. Delos, M. Buczko, P. Scheer, D. Gloria, Christophe Gaquière, P. Chevalier

IEEE Topical Symposium on Power Amplifiers for Wireless Communications, PASymposium, 2009, San Diego, CA, United States. ⟨hal-00575454⟩

• Communication dans un congrès

Measuring dispersion forces via the ordering of molecules on surfaces

F. Cleri

Materials Research Society Fall Meeting, MRS Fall 2009, Symposium KK : Nanoscale Pattern Formation, 2009, Boston, MA, United States. ⟨hal-00575421⟩

• Communication dans un congrès

Atomic structure of Si nanowires

B. Grandidier

IAP 'Brunch' Workshop on Semiconductor Nanowires, 2009, Leuven, Belgium. ⟨hal-00575326⟩

• Communication dans un congrès

Complete optical characterization of multilayered InxGa1-xN/GaN structures grown by MOCVD on sapphire substrates

A. Gokarna, A. Stolz, El Hadj Dogheche, Didier Decoster, J. Teng, W. Liu, S.J. Chua, E. Dumont

5th International Conference for Materials Advanced Technologies, ICMAT 2009, Symposium O: Compound Semiconductor Photonics: Materials, Devices and Integration, 2009, _, France. ⟨hal-00575300⟩