Publications

• Communication dans un congrès

Analyse temporelle des perturbations transitoires observées à bord d'un train en mouvement afin de protéger les systèmes de communication embarqués

Mohamed Nedim Ben Slimen, Virginie Deniau, Marion Berbineau, Ricardo Adriano, S. Baranowski, Philippe Massy

Dans la prochaine décennie, la gestion du trafic ferroviaire des lignes à grande vitesse au sein de l’union européenne sera assurée par le système ERTMS (European Railway Traffic Management System) dont l’un des composants principaux est le système de radio numérique GSM-R. Ce système qui nécessite…

14ème Colloque International sur la Compatibilité Electromagnétique, CEM08, May 2008, Paris, France. pp.208-209. ⟨hal-00361134⟩

• Article dans une revue

Characterization of deep levels in high electron mobility transistor by conductance deep level transient spectroscopy

M. Gassoumi, J.M. Bluet, G. Guillot, Christophe Gaquière, H. Maaref

Materials Science and Engineering: C, 2008, 28, pp.787-790. ⟨10.1016/j.msec.2007.10.068⟩. ⟨hal-00357801⟩

• Article dans une revue

Characterization of AlN metal-semiconductor-metal diodes in the spectral range of 44-360 nm : photoemission assessments

A. Benmoussa, Jean-François Hochedez, R. Dahal, J. Li, J.Y. Lin, H.X. Jiang, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, U. Kroth, M. Richter

Applied Physics Letters, 2008, 92, pp.022108 (1-3). ⟨10.1063/1.2834701⟩. ⟨hal-00357794⟩

• Article dans une revue

Ballistic nanodevices for high frequency applications

C. Gardes, Yannick Roelens, S. Bollaert, J.S. Galloo, X. Wallart, A. Curutchet, Christophe Gaquière, J. Mateos, T. Gonzalez, B.G. Vasallo, L. Bednarz, I. Huynen

International Journal of Nanotechnology, 2008, 5, 796-808, Special Issue on Nanotechnology in France. Part I : C'nano Nord-Ouest. ⟨10.1504/IJNT.2008.018698⟩. ⟨hal-00356665⟩

• Article dans une revue

High-frequency noise performance of 60-nm gate-length FinFETs

J.P. Raskin, G. Pailloncy, D. Lederer, Francois Danneville, Gilles Dambrine, S. Decoutere, A. Mercha, B. Parvais

IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.2718-2727. ⟨10.1109/TED.2008.2003097⟩. ⟨hal-00356670⟩

• Article dans une revue

Impact of lateral asymmetry of MOSFETs on the gate-drain noise correlation

A.S. Roy, C.C. Enz, T.C. Lim, Francois Danneville

IEEE Transactions on Electron Devices, 2008, 55, pp.2268-2272. ⟨10.1109/TED.2008.925935⟩. ⟨hal-00356669⟩

• Article dans une revue

Elastic properties of finite three-dimensional solid phononic-crystal slabs

R. Sainidou, Bahram Djafari-Rouhani, Jerome O. Vasseur

Photonics and Nanostructures - Fundamentals and Applications, 2008, 6, pp.122-126. ⟨10.1016/j.photonics.2007.10.001⟩. ⟨hal-00357785⟩

• Communication dans un congrès

Isolation mésa par gravures humide et sèche des HEMTs AlSb/InAs sur substrat InP

A. Olivier, T. Gehin, L. Desplanque, X. Wallart, J. Cheng, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, Gilles Dambrine, A. Cappy, S. Bollaert

11èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Microélectronique, JNRDM 2008, 2008, Bordeaux, France. ⟨hal-00361522⟩

• Communication dans un congrès

Negative bias stress effect in pentacene thin-film transistors

C. Petit, D. Zander, K. Lmimouni, M. Ternisien, S. Lenfant, D. Vuillaume

4th International Meeting on Molecular Electronics, ElecMol'08, 2008, Grenoble, France. ⟨hal-00361616⟩

• Communication dans un congrès

Towards high performance E-mode InAlN/GaN HEMTs

F Medjdoub, M. Alomari, J.F. Carlin, M. Gonschorek, E. Feltin, M.A. Py, Christophe Gaquière, N. Grandjean, E. Kohn

32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008, 2008, Belgium. pp.97-98. ⟨hal-00361120⟩