Publications

• Article dans une revue

Photochemical oxidation of hydrogenated boron-doped diamond surfaces

Rabah Boukherroub, Xavier Wallart, Sabine Szunerits, Bernadette Marcus, Pierre Bouvier, Michel Mermoux

We describe the photochemical oxidation of polycrystalline boron-doped diamond films by UV irradiation in air at room temperature. The reaction generates surface hydroxyl groups that have been coupled with perfluorodecyl trichlorosilane to yield an organic layer covalently attached to the diamond…

Electrochemistry Communications, 2005, 7 (9), pp. 937-940. ⟨10.1016/j.elecom.2005.05.010⟩. ⟨hal-00333060⟩

• Article dans une revue

Resonating piezoelectric membranes for microelectromechanically based bioassay: detection of streptavidin–gold nanoparticles interaction with biotinylated DNA

Liviu Nicu, Matthieu Guirardel, Frédéric Chambosse, Pierre Rougerie, Sary Hinh, Emmanuelle Trévisiol, Jean Marie François, Jean Pierre Majoral, Anne-Marie Caminade, Eric Cattan, Christian Bergaud

In this article a new device based on 4 × 4 matrix micromachined resonating piezoelectric membranes used as DNA–DNA hybridization biosensor is proposed. This biosensor is operated in two fundamental different ways, namely integrated in a flow injection analysis (FIA) system and providing…

Sensors and Actuators B: Chemical, 2005, 110 (1), pp.125 - 136. ⟨10.1016/j.snb.2005.01.021⟩. ⟨hal-01848353⟩

• Communication dans un congrès

Ondes de Lamb dans une plaque comportant une interface striée avec plusieurs périodicités spatiales

Damien Leduc, Anne-Christine Hladky, Bruno Morvan, Jean-Louis Izbicki, Pascal Pareige

La propagation d'ondes de Lamb dans une plaque comportant une interface striée est étudiée. Lorsque le profil ne comporte qu'une périodicité spatiale alors un mode réflechi-converti peut être observé. Le nombre d'onde de ce mode réflechi-converti est déterminé dans le plan nombre d…

17e Congrès Français de Mécanique, Aug 2005, Troyes, France. ⟨hal-04090910⟩

• Article dans une revue

Anisotropy-induced polarization mixture of surface acoustic waves in Ga N ∕ c -sapphire heterostructures

J. Pedrós, F. Calle, J. Grajal, R. Jiménez Riobóo, Y. Takagaki, K. Ploog, Z. Bougrioua

The characteristics of surface acoustic waves (SAWs) in GaN layers grown on c-plane sapphire are investigated. Besides Rayleigh mode, Sezawa and Love modes, which are confined in the nitride layers, arise because of the slow sound propagation in GaN compared with the substrate. In addition, pseudo-…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2005, 72 (7), ⟨10.1103/PhysRevB.72.075306⟩. ⟨hal-02906694⟩

• Communication dans un congrès

High fractionally spaced constant modulus blind equalization for high order-QAM signalling

A. Zaouche, Iyad Dayoub, Jean-Michel Rouvaen

2005 Microwave Electronics: Measurements, Identification, Applications, Jul 2005, Bordeaux, France. pp.197-202, ⟨10.1109/SSP.2005.1628590⟩. ⟨hal-03383099⟩

• Brevet

Circuit électronique intégré comportant un résonateur accordable

A. Cathelin, S. Razafimandimby, D. Belot, J.F. Carpentier

N° de brevet: FR2864728 (A1). 2005. ⟨hal-00372411⟩

• Brevet

Boucle à verrouillage d'amplitude intégrable dotée d'un résonateur acoustique

S. Razafimandimby, A. Cathelin

N° de brevet: FR2864726 (A1). 2005. ⟨hal-00372417⟩

• Brevet

Circuit électronique comportant un résonateur destiné à être intégré dans un produit semi-conducteur

S. Razafimandimby, D. Belot, J.F. Carpentier, A. Cathelin

N° de brevet: FR2864727 (A1). 2005. ⟨hal-00372413⟩

• Brevet

Dispositif de résonateur acoustique

G. Bouche, G. Caruyer, P. Ancey

N° de brevet: FR2863789 (A1). 2005. ⟨hal-00372426⟩

• Thèse

Croissance métamorphique par Epitaxie par Jets Moléculaires et caractérisations physiques pour Transistor Bipolaire à Hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs, Metamorphic growth by Molecular Beam Epitaxy and physical characterizations for InP/InGaAs Heterojunction Bipolar Transistor on GaAs

Eric Lefebvre

Les Transistors Bipolaires à Hétérojonction fonctionnent à hautes fréquences sous des tensions d'environ 5V, en particulier dans le système de matériaux InP/InGaAs. Il est souhaitable d'obtenir ces performances non pas sur InP mais sur GaAs, substrat plus robuste, disponible en taille…, Heterojunction Bipolar Transistors currently operate at high frequencies under voltage of approximately 5V, in particular in the InP/InGaAs materials system. It is desirable to obtain these performances on GaAs rather than on InP substrates, because GaAs ones are more reliable, available in higher…

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2005. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00070835⟩