Publications

• OTHER

Conception et réalisation technologique de commutateurs micro-électromécaniques en bande K pour antennes à réseaux déphasés

M. Fryziel

2004. ⟨hal-00162762⟩

• OTHER

Modélisation grand signal de MOSFETs en hyperfréquences : application à l'étude des non-linéarités des filières SOI

A. Siligaris

2004. ⟨hal-00162763⟩

• ART

Versatile bondpad report process for non-planar compound semiconductor devices

S. Garidel, Jean-Pierre Vilcot, M. Zaknoune, P. Tilmant

Microelectronic Engineering, 2004, 71, pp.358-362. ⟨hal-00162776⟩

• OTHER

Réalisation et caractérisation de composants bistables organiques pour adressage d'écrans plats

D. Tondelier

2004. ⟨hal-00162784⟩

• OTHER

Multiplicateurs de fréquence et métamatériaux en technologie fin line

T. Decoopman

2004. ⟨hal-00162760⟩

• ART

Safety analysis method of a system exposed to electromagnetic risks

B. Demoulin, R. Kassi, D. Degardin, J. Baudet

La Revue de l'électricité et de l'électronique, 2004, 8, pp.57-63. ⟨hal-00162795⟩

• COMM

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière

This paper reports on the LP-MOCVD growth optimisation of GaAlN/GaN heterostructures grown on Silicon Carbide substrates for HEMT applications, and on the first device performances obtained with these structures. The critical impact of some growth parameters on the physical properties of the GaAlN/…

The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩. ⟨hal-00162796⟩

• ART

Raman characterization of Mg+ ion-implanted GaN

B. Boudart, Y. Guhel, J. C. Pesant, P. Dhamelincourt, M. A. Poisson

Mg+ ions were implanted at room temperature in n-type hexagonal GaN for the device isolation purposes. The implantation dose varied from 7.5 × 1012 to 1016 ions cm−2. We performed resonance Raman spectroscopy and DC electrical measurements in order to monitor the structural and electrical changes…

Journal of Physics: Condensed Matter, 2003, 16 (2), pp.S49. ⟨10.1088/0953-8984/16/2/006⟩. ⟨hal-02936052⟩

• THESE

Gravure par faisceau d'ions de films minces de titano-zirconate de plomp (PZT) : étude des dégradations engendrées et contribution à l'intégration aux microsystèmes, Ion beam etching of lead titanate-zirconate (PZT) thin films : study of damages induced and contribution to the integration in microsystems

Caroline Soyer

Ces travaux, relatifs à la gravure par faisceau d'ions de films minces de PZT, présentent un ensemble de résultats pouvant être scindés en deux parties. Tout d'abord, nous avons mené une étude originale dont le but est de tenter d'appréhender les mécanismes d'interactions entre…, First of all, we have carried out an original study of which the aim is to try to understand the mechanisms of interactions between an ion beam (reactive or not) and the PZT surface. We have underlined various degradations of material, as well microstructural as electrical. These damages evolve…

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2003. Français. ⟨NNT : 2003VALE0038⟩. ⟨hal-00162746⟩

• UNDEFINED

Dispersive charge transport along the surface of an insulating layer observed by Electrostatic Force Microscopy

J. S. Lambert, G. de Loubens, C. Guthmann, M. Saint-Jean, Thierry Melin

We report the observation in the direct space of the transport of a few thousand charges submitted to atunable electric field along the surface of a silicon oxide layer. Charges are both deposited and observedusing the same Electrostatic Force Microscope. During the time range accessible to our…

2003. ⟨hal-00000962⟩