Publications

• Communication dans un congrès

Low frequency noise and transport mechanisms in AlGaN/GaN HEMT devices

Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, Jean-Claude de Jaeger, Marie Germain, S. Delage, Jacques Graffeuil

European Microwave Week, 2004, Amsterdam, Netherlands. ⟨hal-00141963⟩

• Article dans une revue

AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz

A. Minko, Virginie Hoel, E. Morvan, B. Grimbert, A. Soltani, E. Delos, D. Ducatteau, Christophe Gaquière, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove

IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.453-455. ⟨hal-00141952⟩

• Communication dans un congrès

Amélioration des performances des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat Si

A. Minko, Virginie Hoel, Christophe Gaquière, D. Theron, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, F. Semond, F. Natali, J. Massies, H. Lareche, L. Wedzikowski, R. Langer, P. Bove

GDR Grand Gap, 2004, Fréjus, France. ⟨hal-00141966⟩

• Article dans une revue

Two-photon absorption in InP substrates in the 1.55 µm range

D. Vignaud, Jean-Francois Lampin, F. Mollot

Applied Physics Letters, 2004, 85, pp.239. ⟨hal-00018568⟩

• Article dans une revue

Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultra-thin silicon-on-insulator body with a tungsten metallic midgap gate

G. Larrieu, Emmanuel Dubois

This letter presents a simple low-temperature process to fabricate Schottky-barrier (SB) MOSFETs that integrates a midgap metallic gate (tungsten). The device architecture is based on a thin (10 nm) and lowly doped silicon-on-insulator film that provides a threshold voltage of -0.3 V independent on…

IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.801-803. ⟨10.1109/LED.2004.838053⟩. ⟨hal-00140981⟩

• Ouvrages

Noise in devices and circuits II – Proceedings of SPIE Vol. 5470

Francois Danneville, F. Bonani, J. Deen, M. Levinshtein

SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA, 585 p., 2004. ⟨hal-00131720⟩

• Communication dans un congrès

Microfluidique pour l'analyse des protéines exprimées par des cellules cancéreuses isolées sur un microréseau d'immobilisation

E. Galopin, N. Verplanck, V. Thomy, Rabah Boukherroub, H. Hondermarck, J.C. Camart, C. Druon, P. Tabourier

Actes du 2ème Congrès Français de Microfluidique, 2004, Toulouse, France. ⟨hal-00142066⟩

• Article dans une revue

Atomic-scale observation of dopant atoms in GaAs

G. Mahieu, D. Deresmes, B. Grandidier, J.P. Nys, D. Stievenard

PICO : The Omicron NanoTechnology Newsletter, 2004, 8, pp.6-7. ⟨hal-00142060⟩

• Article dans une revue

Angle of arrival measurement using ultra fast transient analyzer and music algorithm

A. Benlarbi-Delai, N. Rolland-Haese, A. Ghis, P.A. Rolland

Microwave and Optical Technology Letters, 2004, 41, pp.141-144. ⟨hal-00133924⟩

• Article dans une revue

InAlAs-InGaAs double-gate HEMTs on transferred substrate

Nicolas Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy

IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.354-356. ⟨hal-00133868⟩