Publications

• Communication dans un congrès

RF and noise properties of SOI MOSFETs, including the influence of a direct tunneling gate current

Francois Danneville, G. Pailloncy, Gilles Dambrine, B. Iniguez

2004, pp.103-110. ⟨hal-00154886⟩

• Autre publication scientifique

Multiplicateurs de fréquence et métamatériaux en technologie fin line

T. Decoopman

2004. ⟨hal-00162760⟩

• Autre publication scientifique

Conception et réalisation technologique de commutateurs micro-électromécaniques en bande K pour antennes à réseaux déphasés

M. Fryziel

2004. ⟨hal-00162762⟩

• Autre publication scientifique

Modélisation grand signal de MOSFETs en hyperfréquences : application à l'étude des non-linéarités des filières SOI

A. Siligaris

2004. ⟨hal-00162763⟩

• Article dans une revue

Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs

F. Rampazzo, G. Pierobon, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, B. Boudart, G. Meneghesso, E. Zanoni

Microelectronics Reliability, 2004, 44, pp.1375-1380. ⟨hal-00154890⟩

• Article dans une revue

Raman characterization of Mg+ ion-implanted GaN

B. Boudart, Y. Guhel, J. C. Pesant, P. Dhamelincourt, M. A. Poisson

Mg+ ions were implanted at room temperature in n-type hexagonal GaN for the device isolation purposes. The implantation dose varied from 7.5 × 1012 to 1016 ions cm−2. We performed resonance Raman spectroscopy and DC electrical measurements in order to monitor the structural and electrical changes…

Journal of Physics: Condensed Matter, 2003, 16 (2), pp.S49. ⟨10.1088/0953-8984/16/2/006⟩. ⟨hal-02936052⟩

• Thèse

Gravure par faisceau d'ions de films minces de titano-zirconate de plomp (PZT) : étude des dégradations engendrées et contribution à l'intégration aux microsystèmes, Ion beam etching of lead titanate-zirconate (PZT) thin films : study of damages induced and contribution to the integration in microsystems

Caroline Soyer

Ces travaux, relatifs à la gravure par faisceau d'ions de films minces de PZT, présentent un ensemble de résultats pouvant être scindés en deux parties. Tout d'abord, nous avons mené une étude originale dont le but est de tenter d'appréhender les mécanismes d'interactions entre…, First of all, we have carried out an original study of which the aim is to try to understand the mechanisms of interactions between an ion beam (reactive or not) and the PZT surface. We have underlined various degradations of material, as well microstructural as electrical. These damages evolve…

Electronique. Université de Valenciennes et du Hainaut-Cambrésis, 2003. Français. ⟨NNT : 2003VALE0038⟩. ⟨hal-00162746⟩

• Pré-publication, Document de travail

Dispersive charge transport along the surface of an insulating layer observed by Electrostatic Force Microscopy

J. S. Lambert, G. de Loubens, C. Guthmann, M. Saint-Jean, Thierry Melin

We report the observation in the direct space of the transport of a few thousand charges submitted to atunable electric field along the surface of a silicon oxide layer. Charges are both deposited and observedusing the same Electrostatic Force Microscope. During the time range accessible to our…

2003. ⟨hal-00000962⟩

• Brevet

Semiconductor infrared detector and method for the production thereof

Didier Stievenard, Christophe Delerue, Bernard Legrand

United States, Patent n° : US6661073 (B1) 2003-12-09. 2003, N° de priorité : FR19990003835 19990326 - N° de demande : US20020937392 20020401. ⟨hal-05585641⟩

• Article dans une revue

Two-dimensional microfabricated sources for nanoelectrospray

Séverine Le Gac, S. Arscott, Cécile Cren-Olivé, Christian Rolando

Journal of Mass Spectrometry, 2003, 38 (12), pp.1259-1264. ⟨10.1002/jms.580⟩. ⟨hal-02347837⟩