Publications

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  • Communication dans un congrès

Electrical Performance of Single and Coupled Cu Interconnects for the 70 nm Technology

K. El Bouazzati, Freddy Ponchel, Jean-François Legier, Erick Paleczny, Christophe Seguinot, Denis Deschacht

This paper deals with propagation delay, rise time and crosstalk for Cu wire of 100 nm width and 2.2 to 1.7 aspect ratio AR ( AR /spl sime/ h/w) in single and coupled configuration. Electrical and electromagnetical characteristics are predicted, with a full wave analysis, for various wire…

SPI: Signal Propagation on Interconnects, May 2004, Heidelberg, Germany. pp.189-191, ⟨10.1109/SPI.2004.1409048⟩. ⟨lirmm-00108848⟩

  • Communication dans un congrès

Dispositif automatique pour le contrôle non destructif du béton par ondes de surface

Bogdan Piwakowski

Diagnobéton 2004, 2004, Montreal, Canada. ⟨hal-00248104⟩

  • Communication dans un congrès

Fabrication and creep behavior of SiCN(O) nanocomposites

Mohamed Amara, R. Dez, Sylvie Foucaud, D. Bahloul-Hourlier, P. Goursat, Nathalie Herlin-Boime

4th International Symposium on Nitrides, 2004, Belgium. pp.281-285. ⟨hal-00248025⟩

  • Communication dans un congrès

Bruit dans les nouveaux composants et matériaux ou bruit fiabilité

Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage, Jacques Graffeuil

Workshop Action Spécifique Bruit : Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications, 2004, La Grande Motte, France. ⟨hal-00141964⟩

  • Article dans une revue

Safety analysis method of a system exposed to electromagnetic risks

B. Demoulin, R. Kassi, D. Degardin, J. Baudet

La Revue de l'électricité et de l'électronique, 2004, 8, pp.57-63. ⟨hal-00162795⟩

  • Autre publication scientifique

Réalisation et caractérisation de composants bistables organiques pour adressage d'écrans plats

D. Tondelier

2004. ⟨hal-00162784⟩

  • Communication dans un congrès

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière

This paper reports on the LP-MOCVD growth optimisation of GaAlN/GaN heterostructures grown on Silicon Carbide substrates for HEMT applications, and on the first device performances obtained with these structures. The critical impact of some growth parameters on the physical properties of the GaAlN/…

The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩. ⟨hal-00162796⟩