Publications

Affichage de 14321 à 14330 sur 16109


  • Communication dans un congrès

Electro-optical probe dedicated to the on-line testing of electronic systems

B. Pannetier, P. Lemaitre-Auger, S. Tedjini, El Hadj Dogheche, Denis Remiens

2003, pp.275. ⟨hal-00162741⟩

  • Communication dans un congrès

Visualization of phase conjugate ultrasound waves passed through inhomogeneous layer

K. Yamamoto, Philippe Pernod, Vladimir Preobrazhensky

Ultrasonics International, 2003, Granada, Spain. ⟨hal-00146159⟩

  • Communication dans un congrès

Nonlinear acoustics of phase conjugate waves in heterogeneous media (NGA approach)

Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod

2003, pp.875-878. ⟨hal-00146134⟩

  • Communication dans un congrès

Métamatériaux : évolution ou révolution

D. Lippens

Optique Hertzienne et Diélectrique, OHD 2003, 2003, Calais, France. ⟨hal-00146091⟩

  • Communication dans un congrès

Simulation of DS-CDMA on the LOS multipath 60 GHz channel and performance with RAKE receiver

W. Sawaya, Laurent Clavier

2003, pp.1232-1236. ⟨hal-00146063⟩

  • Article dans une revue

Inelastic electron tunneling spectroscopy in n-MOS junctions with ultra-thin oxides

C. Petit, G. Salace, D. Vuillaume

Solid-State Electronics, 2003, 47, pp.1663-1668. ⟨hal-00146155⟩

  • Communication dans un congrès

Self-assembled materials

D. Vuillaume

International Summer School on Advanced Microelectronics, MIGAS 2003, 2003, Autrans, France. ⟨hal-00146172⟩

  • Communication dans un congrès

Influence de la température sur les caractéristiques pulsées statiques et hyperfréquences des HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium résistif (111)

M. Werquin, Christophe Gaquière, N. Vellas, E. Delos, D. Ducatteau, Y. Cordier, S. Delage, Jean-Claude de Jaeger

2003, pp.1D-13. ⟨hal-00146691⟩

  • Communication dans un congrès

Behavioural model for AlGaN/GaN HEMT's on sapphire and SiC constructed from multi-bias signal measurements

D. Schreus, N. Vellas, Christophe Gaquière, Marie Germain, G. Borghs

27th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2003, 2003, Fürigen, Switzerland. ⟨hal-00146689⟩