Publications

• Autre publication scientifique

La modélisation et la simulation numérique de procédés de fabrication sur silicium : contributions et réflexions

V. Senez

2001. ⟨hal-00152237⟩

• Communication dans un congrès

Evaluation de la dégradation de la peau du mortier par ondes ultrasonores

S. Ould Naffa, M. Goueygou, Bogdan Piwakowski, F. Buyle-Bodin

XIXèmes Rencontres Universitaires de Génie Civil, 2001, Lille, France. ⟨hal-00152135⟩

• Article dans une revue

Ferroelectric and piezoelectric properties of Nb doped PZT films

T. Haccart, Eric Cattan, Denis Remiens, S. Hiboux, P. Muralt

Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) and Pb(Zr,Ti,Nb)O3 (PNZT) thin films were grown on platinized silicon substrates by r.f. magnetron sputtering followed by a post-annealing treatment. The Niobium, Nb, concentration varied from 1 to 7 at.% by increment of 1 at.%. The effects of the Nb introduction on the PZT…

Integrated Ferroelectrics, 2001, 35 (1-4), pp.239-248. ⟨10.1080/10584580108016905⟩. ⟨hal-00152475⟩

• Communication dans un congrès

Conception, optimisation et fabrication d'un photodétecteur adapté aux télécommunications optiques pour report hybride faible coût sur plate-forme silicium

Joseph Harari, V. Magnin, L. Giraudet, Didier Decoster

Actes de TELECOM 2001 & 2èmes Journées Franco-Maghrebines des Microondes et leurs Applications, JFMMA 2001, 2001, Casablanca, Maroc. ⟨hal-00152504⟩

• Communication dans un congrès

A 60 GHz high power composite channel GaInAs/InP HEMT on InP substrate with Lg=0.15 µm

Mustafa Boudrissa, Elisabet Delos, X. Wallart, Didier Theron, Jean-Claude de Jaeger

We have improved power performance by studying three different GaInAs/InP composite channel structures. Also, different gate to drain extension devices have been processed. By using composite channel devices, we benefit from the better ionization threshold energy of InP compared to GaInAs (1.69 eV…

Conference Proceedings. 2001 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials. 13th IPRM, May 2001, Nara, Japan. pp.196-199, ⟨10.1109/ICIPRM.2001.929091⟩. ⟨hal-00152622⟩

• Communication dans un congrès

Méthodologie de modélisation boîte noire générique pour fonctions non linéaires radar

F. Graux, F. Dhont, J.M. Coupat, C. Tolant, P. Eudeline, B. Bonte, Y. Crosnier

Actes des 12èmes Journées Nationales Microondes, JNM 2001, 2001, Poitiers, France. ⟨hal-00152658⟩

• Communication dans un congrès

Etude de gravure sèche en vue de réaliser un recess de grille de HEMTs sur GaN

Y. Guhel, B. Boudart, M.A. Poisson, Jean-Claude de Jaeger

8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152672⟩

• Communication dans un congrès

Study of InAs/InP using grazing incidence diffraction anomalous fine structure

A. Letoublon, M. Proietti, C. Priester, Hubert Renevier, C. Delerue

Ecole Prédoctorale sur la Physique Mésoscopique, 2001, Les Houches, France. ⟨hal-00152576⟩

• Article dans une revue

Static measurements of GaN MESFETs on (111) Si substrates

Virginie Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart

Electronics Letters, 2001, 37, pp.1095-1096. ⟨hal-00152620⟩

• Communication dans un congrès

NPR comparative study of MMICs and related pHEMT at 26 GHz

Pascal Delemotte, Frédéric Bue-Erkmen, Christophe Gaquière, Yves Crosnier, Sylvie Tranchant, Bernard Carnez

31st European Microwave Association, 2001, London, United Kingdom. pp.527-530. ⟨hal-00152623⟩