Publications

• Article dans une revue

High-frequency four noise parameters of silicon-on-insulator-based technology MOSFET for the design of low-noise RF integrated circuits

Gilles Dambrine, J.-P. Raskin, Francois Danneville, D. Vanhoenackel Janvier, J.-P. Colinge, A. Cappy

IEEE Transactions on Electron Devices, 1999, 46 (8), pp.1733-1741. ⟨10.1109/16.777164⟩. ⟨hal-03612809⟩

• Article dans une revue

Transferred InP-based HBVs on glass substrate

S. Arscott, P. Mounaix, D. Lippens

Electronics Letters, 1999, 35 (17), pp.1493. ⟨10.1049/el:19990984⟩. ⟨hal-02348069⟩

• Communication dans un congrès

Large signal and pulse instabilities in GaN HFETs

Erhard Kohn, E Strobel, I. Daumiller, Christophe Gaquière, B. Boudart, Didier Theron, N.X. Nguyen, C.N. Nguyen

1st Gallium Nitride Electronic Device Workshop, 1999, Cornell, United States. ⟨hal-01654323⟩

• Article dans une revue

Electromagnetic waves in finite superlattices with buffer and cap layers

M. Lahlaouti, Abdellatif Akjouj, B. Djafari-Rouhani, Leonard Dobrzynski, M. Hammouchi, E. El Boudouti, A. Nougaoui

Journal of the Optical Society of America. A Optics, Image Science, and Vision, 1999, 16 (7), pp.1703. ⟨10.1364/JOSAA.16.001703⟩. ⟨hal-04070498⟩

• Article dans une revue

Trap effects studies in GaN MESFETs by pulsed measurements

S. Trassaert, B. Boudart, Christophe Gaquière, Didier Theron, Y. Crosnier, F. Huet, M.A. Poisson

Electronics Letters, 1999, 35 (16), ⟨10.1049/el:19990887⟩. ⟨hal-01647642⟩

• Communication dans un congrès

Développement d’une attaque chimique sélective entre GaAs et Al0.22Ga0.78As et application au creusement du fossé de grille d’un TEC de puissance

X. Hue, B. Boudart, Y. Crosnier

7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France. ⟨hal-01654470⟩

• Article dans une revue

Influence of the Source Inductance Parasitic Effect on the Conversion Gain of the HEMT Gate Mixer

Rachid Allam, Christophe Kolanowski, Jean-Marie Paillot, Claude Duvanaud, Y. Crosnier

This paper examines the influence of the presence of source inductance on the conversion gain of a gate mixer. Two effects are observed: degradation of the gain, and an increase of the local oscillator level power necessary to obtain the maximum gain. Nonlinear simulations, theoretical calculations…

Microwave and Optical Technology Letters, 1999, 22 (3), pp.149--151. ⟨10.1002/(SICI)1098-2760(19990805)22:33.0.CO;2-K⟩. ⟨hal-03360876⟩

• Communication dans un congrès

Méthode simplifiée de calcul du gain de conversion d’un mélangeur à HEMT par la grille

Rachid Allam, Christophe Kolanowski, Jean-Marie Paillot, Claude Duvanaud, Lucian Dascalescu

Proc. Journées Nationales Microondes (JNM 1999), May 1999, Arcachon, France. ⟨hal-03637751⟩

• Communication dans un congrès

Application de l’interférométrie laser à la gravure humide de semi-conducteurs III-V

B. Boudart, X. Hue, Christian Legrand, Y. Crosnier

7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France. ⟨hal-01654462⟩

• Communication dans un congrès

Réalisation par voie chimique et caractérisations électriques de trous métallisés sur substrat InP pour dispositifs en bande de fréquences millimétriques

S. Trassaert, B. Boudart, Stephane Piotrowicz, Y. Crosnier

7es Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique (JNMO), 1999, Egat, France. ⟨hal-01654467⟩