Publications

• Autre publication scientifique

Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence

S. Trassaert

2000. ⟨hal-00158975⟩

• Communication dans un congrès

First results of GaN MESFET's realized on (111) Si

Virginie Hoel, Y. Guhel, B. Boudart, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, H. Lahreche, P. Gibart

10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany. ⟨hal-00159036⟩

• Article dans une revue

On the design of multimode ultrasonic transducers for acoustooptic correlation applications

Jean-Michel Rouvaen, Atika Rivenq, P. Logette, Philippe Goutin, F. Haine

Journal of Physics D: Applied Physics, 2000, 33, pp.3041-3052. ⟨hal-00159047⟩

• Article dans une revue

Modeling of Lamb waves generated by integrated transducers in composite plates using a coupled finite element-normal modes expansion method

Emmanuel Moulin, Jamal Assaad, Christophe Delebarre, D. Osmont

Journal of the Acoustical Society of America, 2000, 107, pp.87-94. ⟨hal-00159070⟩

• Communication dans un congrès

Ballistic emitter for InP heterojunction bipolar transistors

D. Sicault, S. Demichel, R. Teissier, C. Dupuis, F. Pardo, F. Mollot, J.L. Pelouard

25th International Conference on the Physics of Semiconductors, ICPS-25, 2000, Japan. pp.1781-1782. ⟨hal-00250435⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à la conception et à la réalisation de liaisons radio haut débit intra-bâtiment à 60 GHz

Christophe Loyez

2000. ⟨hal-00157903⟩

• Autre publication scientifique

Nouvelles architectures de sources stables programmables en gamme millimétrique et centimétrique

G. Lewandowski

2000. ⟨hal-00158127⟩

• Article dans une revue

Measurement of residual phase noise of frequency divider using a single divider technique

V. Brugidou, Paul-Alain Rolland

A new technique for measuring the residual phase noise of a frequency divider is proposed. The new technique enables one divider to be characterised whereas the traditional technique necessitates two dividers. Experimentation demonstrates the validity of the technique, which is quicker and more…

Electronics Letters, 2000, 36 (16), pp.1391-1393. ⟨10.1049/el:20000983⟩. ⟨hal-00158126⟩

• Article dans une revue

Dependence of the carrier lifetime on acceptor concentration in GaAs grown at low-temperature under different growth and annealing conditions

M. Stellmacher, J. Nagle, Jean-Francois Lampin, P. Santoro, J. Vaneecloo, Antigoni Alexandrou

Journal of Applied Physics, 2000, 88, pp.6026-6031. ⟨hal-00158228⟩

• Communication dans un congrès

Acoustic scattering in time domain using the boundary element method

A. Lavie, Bertrand Dubus, A. El Ghaouty

2000, pp.129-133. ⟨hal-00157820⟩