Publications

• Communication dans un congrès

Technique de mesure du facteur de bruit différentiel avec un analyseur de réseau 4-ports

Yogadissen Andee, Jérôme Prouvée, François Graux, Francois Danneville

Ce papier présente une nouvelle méthode pour la mesure du facteur de bruit différentiel. Cette approche consiste à mesurer les paramètres S et les puissances de bruit en sortie du circuit différentiel directement sur un analyseur de réseau 4-ports. Elle ne nécessite aucun coupleur qui compliquerait…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018395⟩

• Communication dans un congrès

Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018416⟩

• Communication dans un congrès

InAs based Esaki tunnel diodes

Vinay Kumar Chinni, L. Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart

We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy discontinuities on the tunneling current of the device. The results are very…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018430⟩

• Communication dans un congrès

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩

• Communication dans un congrès

Near-field microscopy : from MIR to THz

Gabriel Moreno, Antoine Pagies, Damien Ducatteau, Nicolas Clément, Tahsin Akalin, Mathias Vanwolleghem, Jean-Francois Lampin

joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France. 2 p. ⟨hal-01015277⟩

• Article dans une revue

Thermal management of electronic devices by composite materials integrated in silicon

Emmanuel Ollier, U. Soupremanien, V. Remondiere, J. Dijon, H. Le Poche, A.L. Seiler, F. Lefevre, S. Lips, Christophe Kinkelin, Nathalie Rolland, Paul-Alain Rolland, Malek Zegaoui, S. Lhostis, P. Ancey, B. Descouts, Y. Kaplan

As the power of electronic systems is increasing, thermal fluxes are getting higher, up to more than 100 W/cm2 in the more critical cases. They result in hot spots with various consequences, especially performance reduction and reliability issues. Most of the prior research has been focused on…

Microelectronic Engineering, 2014, 127, pp.28-33. ⟨10.1016/j.mee.2014.03.016⟩. ⟨hal-01005617⟩

• Article dans une revue

Effect of passivation on microwave power performances of AlGaN/GaN/Si HEMTs

H. Mosbahi, M. Charfeddine, M. Gassoumi, H. Mejri, Christophe Gaquière, Bertrand Grimbert, M.A. Zaidi, H. Maaref

This paper reports on the use of plasma assisted molecular beam epitaxy of AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) grown on silicon substrate. Surface passivation effects on AlGaN/GaN HEMTs were studied using SiO2/SiN dielectric layers grown by plasma enhanced chemical vapor deposition…

Sensors & Transducers., 2014, 27, pp.277-279. ⟨hal-01005128⟩

• Communication dans un congrès

Ferroelectric thin films working at microwave frequency for reconfigurable devices on silicon substrate: performances comparison between BST, PST

Freddy Ponchel, Denis Remiens, Areski Ghalem, Tuami Lasri

4th International Meeting on Dielectric Materials, May 2013, Marrakech, Morocco. ⟨hal-03659197⟩

• Article dans une revue

Back cover

S. Arscott

Lab on a Chip, 2014, 14 (19), pp.3896. ⟨10.1039/C4LC90090A⟩. ⟨hal-02345645⟩

• Article dans une revue

Elastic properties of tensile nitrogen-plasma-treated multilayer silicon nitride films

M. Braccini, F. Volpi, Arnaud Devos, G. Raymond, D. Benoit, Pascal Morin

Highly stressed silicon nitride thin films are used in gate first complementary metal oxide semiconductors to improve mobility in the silicon channel. Compressive stresses improve hole mobility in p-type MOS transistors while tensile stresses increase electron mobility in n-type MOS devices. High…

Thin Solid Films, 2014, 551, pp.120-126. ⟨10.1016/j.tsf.2013.11.012⟩. ⟨hal-00925380⟩