Publications

• Communication dans un congrès

Strain relaxation at the GaSb/GaAs and GaSb/GaP interfaces

L. Desplanque, S. El Kazzi, Christophe Coinon, Y. Wang, P. Ruterana, X. Wallart

23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2011, 2011, Berlin, Germany. ⟨hal-00807153⟩

• Communication dans un congrès

Dépôts d'oxydes catalytiques sur mousses métalliques pour augmenter la sélectivité en oxydation des hydrocarbures

A. Lofberg, A. Essakhi, S. Paul, P. Supiot, B. Mutel, V. Lecourtois, E. Bordes-Richard

XIIIème Congrès de la Société Française de Génie des Procédés, SFGP 2011, 2011, Lille, France. CDROM, papier 134, 1-6. ⟨hal-00806697⟩

• Communication dans un congrès

Étude des propriétés électroniques de nanofils semiconducteurs d'InAs par microscopie à effet tunnel basse température et quatre pointes

Corentin Durand, Maxime Berthe, T.H. Nguyen, P. Caroff, J.P. Nys, B. Grandidier

14ème Forum des Microscopies à Sonde Locale, 2011, Ecully, France. ⟨hal-00807239⟩

• Communication dans un congrès

Cristaux phononiques à résonances locales

Yan Pennec, H. Larabi, Bahram Djafari-Rouhani, Abdellatif Akjouj, Gaëtan Lévêque

Colloque National Métamatériaux, CNM 2011, 2011, Orsay, France. ⟨hal-00807582⟩

• Communication dans un congrès

Kinetic study of enzyme-catalyzed reaction at microscale level

Adil Elagli, A. Treizebre, Simon Laurette, Dominique Vercaigne-Marko, Didier Guillochon, Pascal Dhulster, Bertrand Bocquet, Renato Froidevaux

6th International Conference on Microtechnologies in Medicine and Biology, MMB 2011, 2011, Lucerne, Switzerland. ⟨hal-00807654⟩

• Communication dans un congrès

Towards cost-effective millimeter wave high power GaN devices

F Medjdoub

20th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2011, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00807130⟩

• Article dans une revue

Above 600 mS/mm transconductance with 2.3 A/mm drain current density AlN/GaN high electron mobility transistors grown on silicon

F Medjdoub, Malek Zegaoui, Nicolas Waldhoff, B. Grimbert, N. Rolland, Paul-Alain Rolland

AlN/GaN high-electron-mobility transistors (HEMTs) capped with an in-situ grown SiN have been successfully developed on 100mm Si substrates. A unique combination of maximum output current density exceeding 2A/mm and a record extrinsic transconductance above 600 mS/mm has been reached, which is well…

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2011, 4 (6), pp.064106-1-3. ⟨10.1143/APEX.4.064106⟩. ⟨hal-00603010⟩

• Communication dans un congrès

IMPROVE-LM - Imaging probe for vacuum environment and liquid medium

Bernard Legrand, J.P. Aime, L. Buchaillot

Journées Nationales Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2011, 2011, Strasbourg, France. ⟨hal-00807209⟩

• Communication dans un congrès

[Invité] Apport des micro et nano-systèmes pour la microscopie à force atomique

Benjamin Walter, Zhuang Xiong, Emmanuelle Algre, Estelle Mairiaux, Marc Faucher, Lionel Buchaillot, Bernard Legrand

Journées Nationales Nanosciences et Nanotechnologies, J3N 2011, 2011, Strasbourg, France. ⟨hal-00807204⟩

• Communication dans un congrès

Alternating current magnetoresistance for determination of electron mobility and concentration under the gate in submicrometer Si and GaN field effect transistors

R. Tauk, W. Knap, J. Lusakowski, M. Sakowicz, Z. Bougrioua, M. Aziz, P. Lorenzini, F. Boeuf, T. Skotnicki

Journées Franco-Libanaises Physique et Interfaces, JFLPI, 2011, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-00807634⟩