Publications
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Graphene nanoribbon field effect transistor for high frequency applications
H. Happy, N. Meng, R. Fleurier, E. Pichonat, D. Vignaud, Gilles Dambrine
41st European Microwave Conference, EuMC 2011, 2011, Manchester, United Kingdom. pp.1138-1141. ⟨hal-00799695⟩
Interface engineering for improved light transmittance through photonic crystal flat lenses
G. Scherrer, M. Hofman, W. Smigaj, B. Gralak, X. Melique, O. Vanbesien, D. Lippens, C. Dumas, B. Cluzel, F. de Fornel
XXX General Assembly and Scientific Symposium of International Union of Radio Science, URSI GASS 2011, 2011, Istanbul, Turkey. paper D07.7, 1-3. ⟨hal-00799990⟩
Multiple-access interference management in TH-PPM UWB systems with pulse width randomisation
K. Kouassi, Laurent Clavier, I. Doumbia, P.A. Rolland
IEEE International Conference on Ultra-Wideband, ICUWB 2011, 2011, Bologna, Italy. pp.165-169, ⟨10.1109/ICUWB.2011.6058818⟩. ⟨hal-00799976⟩
Recent advances in the negative refraction of longitudinal waves in an elastic phononic crystal
Anne-Christine Hladky, Charles Croënne, K.R. Olympio, Jerome O. Vasseur, Bertrand Dubus, B. Morvan
IEEE International Ultrasonics Symposium, IUS 2011, 2011, Orlando, FL, United States. pp.1316-1319, ⟨10.1109/ULTSYM.2011.0325⟩. ⟨hal-00799671⟩
Matrice de commutation électro-optique ultracompacte sur InP
D. Cherfi
14èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral de Micro et Nanoélectronique, JNRDM 2011, 2011, Cachan, France. pp.1-4. ⟨hal-00806690⟩
Diagnostic ultrasonore de la dégradation mécanique et structurale du béton
Pawel Safinowski
2011. ⟨hal-00799478⟩
Caractérisation diélectrique de matériaux pulvérulents dans une large bande de fréquences micro-ondes
Qing Lu
2011. ⟨hal-00799464⟩
Étude ab initio des phonons du graphène sur substrats métalliques
Adrien Allard
2011. ⟨hal-00799436⟩
Compensation numérique des non-linéarités des amplificateurs de puissance avec estimation des paramètres au niveau récepteur
Jan Zeleny
2011. ⟨hal-00799414⟩
Characterization of AlGaN/GaN high electron mobility transistor grown on silicon carbide devices with a gate length Lg = 0.15 µm
M. Gassoumi, M.M. Ben Salem, S. Saadaoui, W. Chikhaoui, Christophe Gaquière, H. Maaref
Sensor letters, 2011, 9, pp.2178-2181. ⟨10.1166/sl.2011.1788⟩. ⟨hal-00795894⟩