Publications

• Article dans une revue

On the QUBO formulation of Hamiltonian Cycle Problem

Amelia Durbec, Amina El Yaagoubi, Samuel Deleplanque

Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2025, Quantum theory and topology in models of decision making, 383 (2310), pp.1-19. ⟨10.1098/rsta.2024.0559⟩. ⟨hal-05423065⟩

• Article dans une revue

A hybrid column generation-based heuristic for solving the parallel machine scheduling problem with sequence-dependent set-up times

Luis Fernando Pérez Armas, Samuel Deleplanque, Riad Aggoune, Stefan Creemers

This study explores a hybrid quantum–classical algorithm for the parallel machine scheduling problem with sequence-dependent setup times, a key problem with applications across multiple industries. We propose a column-generation-based heuristic that combines a classical linear relaxation for the…

Philosophical Transactions of the Royal Society A: Mathematical, Physical and Engineering Sciences, 2025, 383 (2310), pp.20240380. ⟨10.1098/rsta.2024.0380⟩. ⟨hal-05418590⟩

• Article dans une revue

Optimizing bin packing problem on quantum annealers: A QUBO-based approach and scalability challenges

Samuel Deleplanque, Amélia Durbec, Amina El Yaagoubi

Optimization and Engineering, 2025, ⟨10.1007/s11081-025-10047-4⟩. ⟨hal-05418538⟩

• Article dans une revue

Microfabricated multi-axis cell for integrated atomic devices

L Péroux, A Dewilde, A Mursa, A Mazzamurro, J Bonhomme, Q Tanguy, E Klinger, L Gauthier-Manuel, O Gaiffe, A. Talbi, Rodolphe Boudot, P. Pernod, Jean-François Clément, V Maurice, N Passilly

Abstract Microfabricated alkali vapor cells enable the miniaturization of atomic sensors, but require collective wafer-level integration of complex features. In many applications-including magnetometers, gyroscopes, magneto-optical traps, and fluorescence imaging-multiple optical accesses are…

Journal of Physics: Photonics, 2025, 8 (1), pp.015022. ⟨10.1088/2515-7647/ae2710⟩. ⟨hal-05438641⟩

• Thèse

Van der Waals epitaxy of TaSe2 and HfSe2-based heterostructures on semiconducting substrates, Épitaxie de van der Waals d’hétérostructures à base de TaSe2 et HfSe2 sur substrats semiconducteurs

Corentin Sthioul

Layered transition metal dichalcogenides (TMDCs) have attracted a significant attention in the last two decades owing to the large variety of properties they offer together with the unique ability of two-dimensional (2D) materials to be isolated in atomically thin layers or integrated in complex…, Les dichalcogénures de métaux de transition (TMDC) ont suscité un intérêt considérable au cours des deux dernières décennies en raison de la grande variété de propriétés qu’ils offrent, ainsi que de la capacité unique des matériaux bidimensionnels (2D) à pouvoir être isolés en couches atomiquement…

Physics [physics]. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05543607⟩

• Chapitre d'ouvrage

Rapport de conjoncture 2024 Section 08 Micro- et nanotechnologies, micro- et nanosystèmes, photonique, électronique, électromagnétisme, énergie électrique

Marie-Cécile Pera, Sébastien Cueff, Corinne Alonso, Jean-François Bryche, Jérôme Castellon, Benoit Charlot, Stéphane Collin, Nathalie Destouches, Sukdheep Dhillon, Yannick Dusch, Katia Grenier, Claire Guéné, Virginie Hoel, Évelyne Martin, Jean-Luc Moncel, Denys Nikolayev, Sylvie Renaud, Guillaume Saint-Girons, Patrice Salzenstein, Frédéric Sarry, Frédéric van Dau

La Section 08 du CNRS rassemble 368 chercheurs, soit la 5e section la plus nombreuse. Ses thématiques couvrent l’ingénierie dans des domaines à fort impact sociétal comme l’énergie électrique, les communications et la santé. La période récente a été marquée par une plus forte prise en compte des…

CNRS. Rapport de conjoncture, CNRS, pp.125-162, 2025. ⟨hal-05493567⟩

• Thèse

Linearity and reliability study of GaN HEMT for millimeter-wave applications, Étude de la linéarité et de la fiabilité de composants HEMT GaN pour des applications en gamme d’ondes millimétriques

Lyes Ben-Hammou

GaN HEMTs have already demonstrated outstanding RF performance at millimeter-wave frequencies, establishing them as the leading technology for high-power and high-efficiency applications such as radar, space systems, and 5G/6G communications. With these capabilities now largely validated, research…, Les transistors HEMT à base de nitrure de gallium (GaN) ont déjà démontré d’excellentes performances RF aux ondes millimétriques, s’imposant comme une technologie clé pour les applications à forte puissance et à haut rendement telles que le radar et les systèmes spatiaux, et constituant un candidat…

Physics [physics]. Université de Lille, 2025. English. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400916⟩

• Thèse

Etude de la diode Schottky GaN à base de métaux réfractaires pour les applications spatiales à haute température et haute fréquence, Study of GaN Schottky diodes based on refractory metals for high-temperature, high-frequency space applications

Amir Al Abdallah

Les exigences croissantes en électronique haute température, motivées par des applications telles que le forage profond, l’aéronautique hypersonique ou encore l’exploration spatiale, imposent le développement de dispositifs capables de fonctionner au-delà des limites thermiques des technologies…, The growing demand for high-temperature electronics, driven by applications such as deep-well drilling, hypersonic aerospace systems, and space exploration, requires the development of devices capable of operating beyond the thermal limits of traditional silicon-based technologies. In the context…

Physique [physics]. Université de Lille, 2025. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400902⟩

• Pré-publication, Document de travail

Influence of electric properties on thermal boundary conductance at metal/semiconductor interface

Quentin Pompidou, Juan Carlos Acosta Abanto, Mélanie Brouillard, Nicolas Bercu, Louis Giraudet, Raza Sheikh, Christophe Adessi, Samy Merabia, Séverine Gomés, Pierre-Olivier Chapuis, Jean-François Robillard, Mihai Chirtoc, Nicolas Horny

2025. ⟨hal-05407095⟩

• Thèse

Optimisation de procédés de fabrication pour le développement de transistors de puissance en technologie GaN, Optimisation of manufacturing processes for the development of power transistors using GaN technology

Adrien Bidaud

Cette thèse porte sur la conception et l’optimisation de transistors de puissance en nitrure de gallium (GaN), en se concentrant sur les transistors à haute mobilité électronique latéraux (HEMTs) et les transistors MOSFETs verticaux à tranchée (V-T-MOSFETs). L’objectif est d’assurer un…, This thesis investigates the design and optimization of gallium nitride (GaN) power transistors, focusing on lateral high-electron-mobility transistors (HEMTs) and vertical trench MOSFETs (V-T-MOSFETs). The objective is to achieve robust and reliable operation in the 600–1200 V class while…

Physique [physics]. Université de Lille, 2025. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-05400874⟩