Publications

• ART

Elastic properties of tensile nitrogen-plasma-treated multilayer silicon nitride films

M. Braccini, F. Volpi, Arnaud Devos, G. Raymond, D. Benoit, Pascal Morin

Highly stressed silicon nitride thin films are used in gate first complementary metal oxide semiconductors to improve mobility in the silicon channel. Compressive stresses improve hole mobility in p-type MOS transistors while tensile stresses increase electron mobility in n-type MOS devices. High…

Thin Solid Films, 2014, 551, pp.120-126. ⟨10.1016/j.tsf.2013.11.012⟩. ⟨hal-00925380⟩

• COMM

Engineering of oxide based resistive switching for neuromorphic computing

F. Alibart, Selina La Barbera, G. Sassine, N. Najjari, Dominique Vuillaume

Journées Nationales du GdR OXYFUN " Oxydes fonctionnels : du matériau au dispositif ", 2014, Autrans, France. ⟨hal-01055005⟩

• COMM

1-20 GHz k Omega-range BiCMOS 55 nm Reflectometer

Pietro M. Ferreira, Cora Donche, Kamel Haddadi, Tuami Lasri, Gilles Dambrine, Christophe Gaquière, Thomas Quemerais, Daniel Gloria

Scanning microwave microscope (SMM) combines the high spatial resolution with the high-sensitivity electric measurement capabilities of a vector network analyzer (VNA). SMM has been pointed out as very well suited for nanodevices characterization. In recent publications, SMM has demonstrated high…

12th IEEE International New Circuits and Systems Conference (IEEE NEWCAS), Jun 2014, Trois-Rivieres, Canada. pp.385-388. ⟨hal-03224670⟩

• COMM

A 1D optomechanical crystal with a complete phononic band gap

Jordi Gomis-Bresco, Daniel Navarro Urrios, Mourad Oudich, Said El-Jallal, Amadeu Griol, Daniel Puerto, Emigdio Chávez-Ángel, Yan Pennec, Bahram Djafari-Rouhani, Francesc Alzina, Alejandro Martinez, Clivia Sotomayor-Torres

Joint 25th Conference of the Condensed Matter Division of the European Physical Society, and 14èmes Journées de la Matière Condensée, CMD25-JMC14, 2014, Paris, France. ⟨hal-01015239⟩

• COMM

Mesure des coefficients de réflexion et de transmission de panneaux en cuve acoustique - Etude comparative de différentes méthodes

Christian Granger, C. Audoly

12ème Congrès Français d'Acoustique, CFA 2014, 2014, Poitiers, France. ⟨hal-00978399⟩

• COMM

Polyaniline-carbon nanotubes composites - Based patch antenna

Z. Hamouda, J.-L. Wojkiewicz, A.A. Pud, B. Belaabed, S. Bergheul, T. Lasri

This paper presents the simulation and realization of a patch antenna made of composites based on Polyaniline (PANI) and carbon nanotubes (CNT). The antenna is designed to work at the frequency of 4.5 GHz; the dielectric substrates used is Rogers RT/duroid 5870 which has a dielectric permittivity…

8th European Conference on Antennas and Propagation, EuCAP 2014, Apr 2014, The Hague, Netherlands. pp.2197-2200, ⟨10.1109/EuCAP.2014.6902246⟩. ⟨hal-03538366⟩

• COMM

Technique de mesure du facteur de bruit différentiel avec un analyseur de réseau 4-ports

Yogadissen Andee, Jérôme Prouvée, François Graux, Francois Danneville

Ce papier présente une nouvelle méthode pour la mesure du facteur de bruit différentiel. Cette approche consiste à mesurer les paramètres S et les puissances de bruit en sortie du circuit différentiel directement sur un analyseur de réseau 4-ports. Elle ne nécessite aucun coupleur qui compliquerait…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018395⟩

• COMM

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩

• COMM

InAs based Esaki tunnel diodes

Vinay Kumar Chinni, L. Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart

We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy discontinuities on the tunneling current of the device. The results are very…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018430⟩

• ART

F center in lithium fluoride revisited : comparison of solid-state physics and quantum-chemistry approaches

Ferenc Karsai, Paul Tiwald, Robert Laskowski, Fabien Tran, David Koller, Stefanie Gräfe, Joachim Burgdörfer, Ludger Wirtz, Peter Blaha

We revisit the theoretical description of the F color center in lithium fluoride employing advanced complementary ab initio techniques. We compare the results from periodic supercell calculations involving density-functional theory (DFT) and post-DFT techniques with those from the embedded-cluster…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2014, 89, 125429, 12 p. ⟨10.1103/PhysRevB.89.125429⟩. ⟨hal-00968483⟩