Publications

• Communication dans un congrès

GHz characterization of carbon nanotube devices

H. Happy, L. Nougaret, Kamel Haddadi, D. Glay, T. Lasri, Gilles Dambrine, Vincent Derycke, B. Plaçais

European Microwave Week Workshops and Short Courses, Microwave Nanocharacterisation : Challenges and Breakthroughs, 2010, Paris, France. ⟨hal-00573558⟩

• Communication dans un congrès

Etude expérimentale de pseudo-modes de Lamb au voisinage d'une bande interdite d'un réseau phononique.

Maxime Bavencoffe, Bruno Morvan, Anne-Christine Hladky, Jean-Louis Izbicki

La structure étudiée est une plaque d'aluminium dont l'une des surfaces est gravée de stries triangulaires périodiquement réparties. L'ensemble des stries forme un réseau périodique de longueur limitée. Une étude par éléments finis (code ATILA) permet de déterminer les vecteurs d…

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00550550⟩

• Communication dans un congrès

Methods of target recognition for UWB radar

Laila Sakkila, Atika Rivenq, C. Tatkeu, Yassin El Hillali, J.P. Ghys, Jean-Michel Rouvaen

IEEE Intelligent Vehicles Symposium, IV 2010, 2010, United States. pp.949-954, ⟨10.1109/IVS.2010.5547962⟩. ⟨hal-00568622⟩

• Ouvrages

Scienza e Tecnica Nell'Architettura del Rinascimento (Science and Technology in Renaissance Architecture)

Danilo Capecchi, Raffaele Pisano

CISU, 2010, 978-8879754934. ⟨hal-04515875⟩

• Communication dans un congrès

Droplet motion and oscillations induced by ultrasonic surface acoustic waves

Philippe Brunet, Michael Baudoin, Olivier Bou Matar, Farzam Zoueshtiagh

Conference on Multiscale Complex Fluid Flows and Interfacial Phenomena, Multiflow 2010, Nov 2010, Brussels, Belgium. pp.1-2. ⟨hal-00800857⟩

• Article dans une revue

Charged impurity scattering and mobility in gated silicon nanowires

M.P. Persson, H. Mera, Y.M. Niquet, C. Delerue, M. Diarra

We study the effects of charged impurity scattering on the electronic transport properties of h110i-oriented Si nanowires in a gate-all-around geometry, where the impurity potential is screened by the gate, gate oxide and conduction band electrons. The electronic structure of the doped nanowires is…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2010, 82 (11), pp.115318. ⟨10.1103/PhysRevB.82.115318⟩. ⟨hal-00549048⟩

• Communication dans un congrès

La formation pratique en nanotechnologie : l'approche mise en place par le GIP CNFM

Laurence Ressier, F. Marchi, H. Sellier, A. Bournel, A. Dazzi, S. Retailleau, F. Bendriaa, Virginie Hoel, H. Happy

8ème Colloque sur l'Enseignement des Technologies et des Sciences de l'Information et des Systèmes, CETSIS 2010, 2010, Grenoble, France. ⟨hal-00574466⟩

• Communication dans un congrès

Electronic properties of the Al0.56In0.44Sb/Ga0.5In0.5Sb heterostructure

L. Desplanque, D. Vignaud, S. Godey, E. Cadio, P. Liu, H. Sellier, X. Wallart

22nd IEEE Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'10, 2010, Kagawa, Japan. ⟨hal-00573576⟩

• Communication dans un congrès

Imaging electron transport by scanning gate microscopy

P. Liu, H. Sellier, S. Huant, X. Wallart, L. Desplanque, B. Hackens, F. Martins, V. Bayot

Forum des Microscopies à Sonde Locale, 2010, Mittelwihr, France. ⟨hal-00574035⟩

• Article dans une revue

Picosecond carrier lifetime in low-temperature-grown GaAsSb

X. Wallart, Christophe Coinon, S.R. Plissard, S. Godey, Olivier Offranc, Ydir Androussi, Vincent Magnin, Jean-Francois Lampin

We study the influence of growth parameters on the properties of low-temperature-grown GaAsSb layers with 15–20% Sb. We demonstrate that a proper choice of growth conditions allows achieving monocrystalline as-grown layers exhibiting carrier lifetime around 1 ps and a resistivity higher than 1 kΩ·…

Japanese Journal of Applied Physics, part 2 : Letters, 2010, 3, pp.111202-1-3. ⟨10.1143/APEX.3.111202⟩. ⟨hal-00548732⟩