Publications

• Thèse

Développement de résonateurs électromécaniques en technologie Silicon On Nothing, à détection capacitive et amplifiée par transistor MOS, en vue d'une co-intégration permettant d'adresser une application de référence de temps, Development of electromechanical resonators using a Silicon On Nothing technology, with capacitive and enhanced MOSFET detection, in a perspective of a co-integration to address time reference applications

Cédric Durand

Les résonateurs électromécaniques (MEMS), de part leurs bonnes performances, leur petite taille, ou encore leurs possibilités d'intégration au plus proche des transistors, présentent un fort potentiel pour le remplacement des quartz dans les applications de référence de temps. Dans ce contexte…, Due to good performances, small size, or either integration possibilities very close to transistors, electromechanical resonators offer a strong potential for quartz replacement in time reference applications. In this context, we propose to develop electromechanical resonators in a perspective of a…

Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I, 2009. Français. ⟨NNT : ⟩. ⟨tel-00375804⟩

• Communication dans un congrès

Intégration Mixte SiP/SoC d'un Transmetteur en Technologie CMOS/BiCMOS/BAW/IPD pour des Applications Multimodes WCDMA/DCS

Eric Kerhervé, Andreas Kaiser

FETCH 2009, Jan 2009, Chexbres, Suisse. ⟨hal-00401324⟩

• Article dans une revue

Ferroelectric tunable balanced right- and left-handed transmission lines

A. Marteau, G. Velu, G. Houzet, Ludovic Burgnies, Eric Lheurette, Jean-Claude Carru, D. Lippens

Applied Physics Letters, 2009, 94 (2), pp.023507. ⟨10.1063/1.3068495⟩. ⟨hal-00471867⟩

• Article dans une revue

Physical analysis of thermal effects on the optimization of GaN Gunn diodes

Xing Tang, Michel Rousseau, Christophe Dalle, Jean-Claude de Jaeger

Applied Physics Letters, 2009, 95, pp.142102-1-3. ⟨10.1063/1.3240873⟩. ⟨hal-00473636⟩

• Article dans une revue

InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess

M. Alomari, F Medjdoub, J.F. Carlin, E. Feltin, N. Grandjean, A. Chuvilin, U. Kaiser, Christophe Gaquière, E. Kohn

IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1131-1133. ⟨10.1109/LED.2009.2031659⟩. ⟨hal-00473634⟩

• Article dans une revue

Tunable room temperature terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs

A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y.M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, P. Prystawko, C. Skierbiszewski

Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012072-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012072⟩. ⟨hal-00473645⟩

• Article dans une revue

Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation

C. Ostermaier, G. Pozzovivo, J.F. Carlin, B. Basnar, W. Schrenk, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. Dejaeger, K. Cico, K. Frohlich, M. Gonschorek, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, J. Kuzmik

IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1030-1032. ⟨10.1109/LED.2009.2029532⟩. ⟨hal-00473635⟩

• Article dans une revue

Study of the high-frequency performance of III-As nanojunctions using a three-dimensional ensemble Monte Carlo model

T. Sadi, Jean-Luc Thobel

Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012017-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012017⟩. ⟨hal-00473657⟩

• Communication dans un congrès

High-frequency susceptibility in giant magnetostrictive TbCo2/FeCo multilayers under SRT, induced by an external magnetic field

A. Klimov, Nicolas Tiercelin, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod, Y. Ignatov, S. Nikitov

26th Progress in Electromagnetics Research Symposium, PIERS 2009, 2009, Moscow, Russia. ⟨hal-00810519⟩

• Communication dans un congrès

Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement

A. Klimovskaya, A. Efremov, D. Hourlier

IVth Ukrainian Scientific Conference on Physics of Semiconductors, USCPS-4, 2009, Zaporizhzhya, Ukraine. ⟨hal-00810513⟩