Publications

• Article dans une revue

Analysis of size effects in Pb(Zr0.54Ti0.46)O3 thin film capacitors with platinum and LaNiO3 conducting oxide electrodes

R. Bouregba, N. Sama, Caroline Soyer, Denis Remiens

Journal of Applied Physics, 2009, 106 (4), pp.044101. ⟨10.1063/1.3200956⟩. ⟨hal-00473708⟩

• Communication dans un congrès

Etude expérimentale et numérique de l'instabilité de Faraday entre deux liquides miscibles

Farzam Zoueshtiagh, Sakir Amiroudine, Ranga Narayanan

Nous avons étudié l'instabilité paramétrique de Faraday dans le cas particulier d'une interface entre deux liquides miscibles. Dans cette configuration l'instabilité développée est transitoire et ses caractéristiques physiques dépendent de l'épaisseur de l'interface. Nous…

CFM 2009 - 19ème Congrès Français de Mécanique, Aug 2009, Marseille, France. ⟨hal-03390927⟩

• Article dans une revue

Experimental study of the A0 and S0 Lamb waves interaction with symmetrical notches

Farouk Benmeddour, Sébastien Grondel, Jamal Assaad, Emmanuel Moulin

Ultrasonics, 2009, 49, pp.202-205. ⟨10.1016/j.ultras.2008.08.002⟩. ⟨hal-00473717⟩

• Article dans une revue

Physical analysis of thermal effects on the optimization of GaN Gunn diodes

Xing Tang, Michel Rousseau, Christophe Dalle, Jean-Claude de Jaeger

Applied Physics Letters, 2009, 95, pp.142102-1-3. ⟨10.1063/1.3240873⟩. ⟨hal-00473636⟩

• Article dans une revue

InAlN/GaN MOSHEMT with self-aligned thermally generated oxide recess

M. Alomari, F Medjdoub, J.F. Carlin, E. Feltin, N. Grandjean, A. Chuvilin, U. Kaiser, Christophe Gaquière, E. Kohn

IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1131-1133. ⟨10.1109/LED.2009.2031659⟩. ⟨hal-00473634⟩

• Article dans une revue

Tunable room temperature terahertz sources based on two dimensional plasma instability in GaN HEMTs

A. El Fatimy, T. Suemitsu, T. Otsuji, N. Dyakonova, W. Knap, Y.M. Meziani, S. Vandenbrouk, K. Madjour, D. Theron, Christophe Gaquière, P. Prystawko, C. Skierbiszewski

Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012072-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012072⟩. ⟨hal-00473645⟩

• Article dans une revue

Ultrathin InAlN/AlN barrier HEMT with high performance in normally off operation

C. Ostermaier, G. Pozzovivo, J.F. Carlin, B. Basnar, W. Schrenk, Y. Douvry, Christophe Gaquière, J.C. Dejaeger, K. Cico, K. Frohlich, M. Gonschorek, N. Grandjean, G. Strasser, D. Pogany, J. Kuzmik

IEEE Electron Device Letters, 2009, 30, pp.1030-1032. ⟨10.1109/LED.2009.2029532⟩. ⟨hal-00473635⟩

• Article dans une revue

Study of the high-frequency performance of III-As nanojunctions using a three-dimensional ensemble Monte Carlo model

T. Sadi, Jean-Luc Thobel

Journal of Physics: Conference Series, 2009, 193, pp.012017-1-4. ⟨10.1088/1742-6596/193/1/012017⟩. ⟨hal-00473657⟩

• Communication dans un congrès

High-frequency susceptibility in giant magnetostrictive TbCo2/FeCo multilayers under SRT, induced by an external magnetic field

A. Klimov, Nicolas Tiercelin, Vladimir Preobrazhensky, Philippe Pernod, Y. Ignatov, S. Nikitov

26th Progress in Electromagnetics Research Symposium, PIERS 2009, 2009, Moscow, Russia. ⟨hal-00810519⟩

• Communication dans un congrès

Modeling of silicon nanowire growth : shaping, doping, and self-arrangement

A. Klimovskaya, A. Efremov, D. Hourlier

IVth Ukrainian Scientific Conference on Physics of Semiconductors, USCPS-4, 2009, Zaporizhzhya, Ukraine. ⟨hal-00810513⟩