Publications

• Ouvrages

Noise in devices and circuits II – Proceedings of SPIE Vol. 5470

Francois Danneville, F. Bonani, J. Deen, M. Levinshtein

SPIE – The International Society for Optical Engineering, Bellingham, WA, USA, 585 p., 2004. ⟨hal-00131720⟩

• Communication dans un congrès

High indium content pseudomorphic InGaAs layers for high mobility heterostructures on InP(001)

X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot

Proceedings of the 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE XIII, 2004, Edinburgh, Scotland, United Kingdom. ⟨hal-00142074⟩

• Communication dans un congrès

Advanced and nanometric MOSFET architecture, multiple gate devices and Pi gates

J. Penaud, F. Fruleux, Emmanuel Dubois, G. Larrieu

MIGAS International Summer School on Advanced Microelectronics, MIGAS'04, 2004, Autrans, France. ⟨hal-00140995⟩

• Proceedings/Recueil des communications

Il ciclo di S. Carnot e la Pila di Alessandro Volta (S. Carnot's cycle and Alessandro Volta's Battery)

Raffaele Pisano

• Communication dans un congrès

Design and fabrication of miniature and monolithic transducers

Anne-Christine Hladky, R.E. Newnham, D.C. Markley, R.J. Meyer, J.K. Cochran

International Conference on Material Technology and Design of Integrated Piezoelectric Devices, 2004, Courmayeur, Italy. ⟨hal-00250170⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication and creep behavior of SiCN(O) nanocomposites

Mohamed Amara, R. Dez, Sylvie Foucaud, D. Bahloul-Hourlier, P. Goursat, Nathalie Herlin-Boime

4th International Symposium on Nitrides, 2004, Belgium. pp.281-285. ⟨hal-00248025⟩

• Communication dans un congrès

LP-MOCVD growth of GaAlN/GaN heterostructures on silicon carbide. Application to HEMT's devices

Marie-Antoinette Di Forte-Poisson, M. Magis, Maurice Tordjman, Raphaël Aubry, Nicolas Sarazin, M. Peschang, Erwan Morvan, Sylvain Laurent Delage, J. Di Persio, Raymond Quéré, B. Grimbert, Virginie Hoel, E. Delos, Damien Ducatteau, Christophe Gaquière

This paper reports on the LP-MOCVD growth optimisation of GaAlN/GaN heterostructures grown on Silicon Carbide substrates for HEMT applications, and on the first device performances obtained with these structures. The critical impact of some growth parameters on the physical properties of the GaAlN/…

The Twelfth International Conference on Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (ICMOVPE-XII), May 2004, Lahina, United States. pp.107-112, ⟨10.1557/PROC-798-Y10.26⟩. ⟨hal-00162796⟩

• Article dans une revue

Safety analysis method of a system exposed to electromagnetic risks

B. Demoulin, R. Kassi, D. Degardin, J. Baudet

La Revue de l'électricité et de l'électronique, 2004, 8, pp.57-63. ⟨hal-00162795⟩

• Communication dans un congrès

Bruit dans les nouveaux composants et matériaux ou bruit fiabilité

Jean-Guy Tartarin, Geoffroy Soubercaze-Pun, Abdelali Rennane, Laurent Bary, Robert Plana, Jean-Claude de Jaeger, S. Delage, Jacques Graffeuil

Workshop Action Spécifique Bruit : Bruit en régime linéaire et non-linéaire dans les composants et circuits de télécommunications, 2004, La Grande Motte, France. ⟨hal-00141964⟩

• Autre publication scientifique

Modélisation hydrodynamique bidimensionnelle de transistors à effet de champ. Analyse physique des limitations et des performances hyperfréquences des filières pHEMT sur GaAs et HEMT sur GaN pour l'amplification de puissance

M. Elkhou

2004. ⟨hal-00141955⟩