Publications

• Article dans une revue

Evaluation of Bioresorbable Surgical Meshes by Ultrasound

L. Krutyansky, V. Preobrazhensky, Pauline Lecomte-Grosbras, Jean-Francois Witz, P. Margotin, Annie Morch, O. Bou Matar, P. Pernod

We report a new approach to the quantitative ultrasonic examination of resorbable surgical meshes used for abdominal hernia. Information about the current state of a resorbable mesh is important for monitoring the prosthesis integration and the healing processes. The method presumes two successive…

Physics of Wave Phenomena, 2025, 33 (1), pp.27-35. ⟨10.3103/S1541308X2470050X⟩. ⟨hal-05039438⟩

• Poster de conférence

Étude par microscopies à sondes locales de surfaces GaN gravées à l'argon pour la réalisation de diodes Schottky

Amir Al Abdallah, Malek Zegaoui, L. Thomas, Etienne Okada, Mohammed Zaknoune

Forum des microscopies à sondes locales 2025, Mar 2025, Spa, Belgique. ⟨hal-05024096⟩

• Poster de conférence

Influence de la quantité de verre résiduel et la microstructure des vitrocéramiques polaires piézoélectriques sur la propagation des ondes acoustiques de surface (SAW)

Oussama Zwein, Marc Duquennoy, Dame Fall, Maurice Gonon, Zakariae Oumekloul, Christian Courtois

GFC 18, Mar 2025, Orléans, France. ⟨hal-05063490⟩

• Brevet

Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime, Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d'air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence

Emmanuel Dubois, Alain Fleury, Daniel Gheysens, Stéphane Monfray

Unknown Region, Patent n° : WO2025056260 (A1) 2025-03-20. flagship_devices. 2025, Numéro(s) de priorité: FR20230009552 20230911 - Numéro de demande: WO2024EP72790 20240813. ⟨hal-05156181⟩

• Communication dans un congrès

Développement de vitrocéramiques polaires comme substrats piézoélectriques pour des capteurs SAW pour du monitoring à haute température

Oussama Zwein, Maurice Gonon, Marc Duquennoy

GFC 18, Mar 2025, Orléans, France. ⟨hal-05063476⟩

• Article dans une revue

Electroluminescence and energy transfer mediated by hyperbolic polaritons

Loubnan Abou-Hamdan, Aurélien Schmitt, Rémi Bretel, Sylvio Rossetti, Marin Tharrault, David Mele, Aurélie Pierret, Michael Rosticher, Takashi Taniguchi, Kenji Watanabe, Camille Maestre, Catherine Journet, Bérangère Toury, Vincent Garnier, Philippe Steyer, James Edgar, Eli Janzen, Jean-Marc Berroir, Gwendal Fève, Gerbold Ménard, Bernard Plaçais, Christophe Voisin, Jean-Paul Hugonin, Elise Bailly, Benjamin Vest, Jean-Jacques Greffet, Patrick Bouchon, Yannick De Wilde, Emmanuel Baudin

Under high electrical current, some materials can emit electromagnetic radiation beyond incandescence. This phenomenon, referred to as electroluminescence, leads to the efficient emission of visible photons and is the basis of domestic lighting devices (for example, light-emitting diodes)1,2. In…

Nature, 2025, 639 (8056), pp.909-914. ⟨10.1038/s41586-025-08627-6⟩. ⟨hal-05014291⟩

• Poster de conférence

High frequency diffuse acoustic field correlation for defect detection in Silicon wafers

Nada Ben Jafela, Lynda Chehami, Marc Duquennoy, Emmanuel Moulin, Nikolay Smagin, Dame Fall, Zakariae Oumekloul

This project is funded by Agence Nationale de le Recherche ANR: DACLOS N°:ANR-21-CE42-0002-01 This work aims to advance the microelectronics industry by developing a non-destructive inspection method for imaging and locating defects on silicon wafers.This thesis is part of the ANR DACLOS project,…

C'Nano 2025: The Nanoscience Meeting, Mar 2025, Paris, France. ⟨hal-05031203⟩

• Poster de conférence

[Best poster award] Optimization of fully vertical GaN-on-silicon MOSFET for high-power energy conversion, Optimisation de transistors totalement verticaux en GaN sur silicium pour la conversion de puissance

Adrien Bidaud, Youssef Hamdaoui, Katir Ziouche, Farid Medjdoub

Most electrical components on the power conversion market are IGBT or vertical MOSFET made of Si. However, their performances are limited by silicon physical properties (low thermal conductivity, low breakdown electric field...). Other materials like SiC and GaN have emerged has a replacement.…, La plupart des composants électriques sur le marché de la conversion de puissance sont des IGBT ou des MOSFET verticaux en silicium. Cependant, leurs performances sont limitées par les propriétés physiques du silicium (faible conductivité thermique, faible champ électrique de claquage...). D'…

C'NANO 2025, Mar 2025, Paris, France. ⟨hal-05224675⟩

• Brevet

Method for producing mosfet transistors incorporating air cavities to reduce capacitive coupling in radiofrequency regime, Procédé de réalisation de transistors MOSFET intégrant des cavités d'air pour la réduction du couplage capacitif en régime radiofréquence

Emmanuel Dubois, Alain Fleury, Daniel Gheysens, Stéphane Monfray

France, Patent n° : FR3152913 (A1) 2025-03-14. flagship_devices. 2025, Numéro(s) de priorité: FR20230009552 20230911 - Numéro de demande: FR20230009552 20230911. ⟨hal-04249470⟩

• Article dans une revue

Nanoconfinement‐Induced Electrochemical Ion‐Solvent Cointercalation in Pillared Titanate Host Materials

Mennatalla Elmanzalawy, Haohong Song, Maciej Tobis, Robert Leiter, Jaehoon Choi, Hyein Moon, Wan-Yu Tsai, De‐en Jiang, Simon Fleischmann

Abstract Electrochemical ion‐solvent cointercalation reactions are an avenue to reach improved kinetics compared to the corresponding intercalation of desolvated ions. Here, we demonstrate the impact of different structural pillar molecules on the electrochemical Li + intercalation mechanism in…

Angewandte Chemie International Edition, 2025, ⟨10.1002/anie.202423593⟩. ⟨hal-04995173⟩