Publications

• Article dans une revue

Gold-free growth of GaAs nanowires on silicon : arrays and polytypism

S.R. Plissard, K. A. Dick, G. Larrieu, S. Godey, A. Addad, X. Wallart, P. Caroff

Nanotechnology, 2010, 21, pp.385602-1-8. ⟨10.1088/0957-4484/21/38/385602⟩. ⟨hal-00548717⟩

• Article dans une revue

Terahertz photomixers based on ultra-wideband horn antennas, Photomélangeurs térahertz à antennes cornet ultra-large bande

Alexandre Beck, Tahsin Akalin, Guillaume Ducournau, Emilien Peytavit, Jean-Francois Lampin

We review recent advances in the development of new terahertz photomixers based on the integration of an ultrafast photodetector with an ultra-wideband transverse electromagnetic wave horn antenna. We expose first a simplified theory of this antenna, the choice of the dimensions and the results of…, Cet article expose le développement récent d'une nouvelle génération de photomélangeurs térahertz basés sur l'intégration d'un photodétecteur ultra-rapide avec une antenne ultra-large bande de type cornet à onde transverse électromagnétique. Nous exposons d'abord la théorie…

Comptes Rendus. Physique, 2010, 11, pp.472-479. ⟨10.1016/j.crhy.2010.05.006⟩. ⟨hal-00548958⟩

• Article dans une revue

Oligothiophene-derivatized azobenzene as immobilized photoswitchable conjugated systems

S. Karpe, M. Oçafrain, K. Smaali, S. Lenfant, D. Vuillaume, P. Blanchard, J. Roncali

Chemical Communications, 2010, 46, pp.3657-3659. ⟨10.1039/c002072a⟩. ⟨hal-00548970⟩

• Article dans une revue

Computer simulation of disordered structures and nanosystems : an atomic-scale view

C. Massobrio, F. Cleri, R. Kozubski

Solid State Sciences, 2010, 12, pp.155-156. ⟨10.1016/j.solidstatesciences.2010.01.016⟩. ⟨hal-00549045⟩

• Article dans une revue

Faceted sidewalls of silicon nanowires : Au-induced structural reconstructions and electronic properties

T. Xu, J.P. Nys, A. Addad, O.I. Lebedev, A. Urbieta, B. Salhi, Maxime Berthe, B. Grandidier, D. Stievenard

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2010, 81, pp.115403-1-10. ⟨10.1103/PhysRevB.81.115403⟩. ⟨hal-00549070⟩

• Article dans une revue

Diameter dependence of the wurtzite-zinc blende transition in InAs nanowires

J. Johansson, K.A. Dick, P. Caroff, M.E. Messing, J. Bolinsson, K. Deppert, L. Samuelson

Journal of Physical Chemistry C, 2010, 114, pp.3837-3842. ⟨10.1021/jp910821e⟩. ⟨hal-00548709⟩

• Article dans une revue

Optically power supplied Gbit/s wireless hotspot using 1.55 µm THz photomixer and heterodyne detection at 200 GHz

Guillaume Ducournau, P. Szriftgiser, Denis Bacquet, Alexandre Beck, Tahsin Akalin, Emilien Peytavit, Mohammed Zaknoune, Jean-Francois Lampin

A wireless transmission system with a remote-supplied hotspot is demonstrated working up to gigabit data rates. The emission uses a 200 GHz carrier frequency, generated using an 1.55 µm photomixer composed of an unitravelling carrier photodiode monolithically integrated with a wide bandwidth…

Electronics Letters, 2010, 46, pp.1349-1350. ⟨10.1049/el.2010.2062⟩. ⟨hal-00548731⟩

• Communication dans un congrès

Modélisation physique de l'oreille moyenne par schémas à constantes localisées et lignes de propagation

Elisabeth Delevoye, Christian Granger, Pascal Mosbah, Bertrand Dubus

Basés sur des analogies électromécaniques et électroacoustiques, les schémas à constantes localisés permettent une modélisation satisfaisante de l'oreille moyenne jusqu'à des fréquences de 6 à 8 kHz pour le chat et de 2 kHz pour l'homme. L'extension du modèle à des fréquences…

10ème Congrès Français d'Acoustique, Apr 2010, Lyon, France. ⟨hal-00549203⟩

• Article dans une revue

High-speed 1.3-µm p-i-n GaNAsSb/GaAs waveguide photodetector

Malek Zegaoui, Z. Xu, N. Saadsaoud, Kianhuan Tan, Wan Khai Loke, Satrio Wicaksono, Soon Fatt Yoon, Christiane Legrand, Didier Decoster, Jean Chazelas

The authors report the demonstration of high-speed GaNAsSb/GaAs p-i-n waveguide photodetector grown by molecular beam epitaxy technique. A 0.4-μm-thick GaNAsSb core layer with 3.3% of N and 8% of Sb for detection wavelength over 1.3 μm is sandwiched by GaAs and AlGaAs cladding layers. The device…

IEEE Electron Device Letters, 2010, 31 (7), pp.704-706. ⟨10.1109/LED.2010.2049563⟩. ⟨hal-00549006⟩

• Article dans une revue

Effects of ultrathin TiOx seeding layer on crystalline orientation and electrical properties of sputtered (Ba,Sr)TiO3 thin films

L.H. Yang, G.S. Wang, X.L. Dong, Denis Remiens

Journal of the American Ceramic Society, 2010, 93, pp.2136-2139. ⟨10.1111/j.1551-2916.2010.03677.x⟩. ⟨hal-00549507⟩