Publications

• Article dans une revue

Efficient intraband optical transitions in Si nanocrystals

Guy Allan, Christophe Delerue

Efficient intraband optical transitions in the infrared range are predicted in n-type Si nanocrystals using tight-binding calculations of no-phonon and one-phonon-assisted processes taking into account each vibrational mode. New types of transitions are reported, with no equivalence in direct gap…

Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2002, 66, pp.233303/1-4. ⟨10.1103/PhysRevB.66.233303⟩. ⟨hal-00149664⟩

• Communication dans un congrès

Caractérisation de transistors à effet de champ à base de GaN

Christophe Gaquière, Raphaël Aubry, Yannick Guhel, A. Minko, Nicolas Vellas, Matthieu Werquin, B. Boudart, Simone Cassette, Yvon Cordier, Sylvain Laurent Delage, E. Delos, Jean-Claude de Jaeger, Damien Ducatteau, H. Gerard

3ème Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-00149714⟩

• Article dans une revue

Generation of surface acoustic waves in non-piezoelectric solids using edge bonded rotated Y-cut lithium niobate transducers

Jean-Michel Rouvaen, A. Ait-Ahsene, Atika Rivenq, P. Logette, Philippe Goutin

Journal of Physics D: Applied Physics, 2002, 35, pp.378-385. ⟨hal-00149731⟩

• Autre publication scientifique

Contribution à la caractérisation non destructive d'objets enfouis par des techniques micro-ondes

Latifa Achrait-Furlan

2002. ⟨hal-00147856⟩

• Communication dans un congrès

Nanotechnology : the next industrial revolution ?

A. Cappy

4th European Workshop on Microelectronics Education, EWME'02, 2002, Baiona, Spain. ⟨hal-00147853⟩

• Article dans une revue

Microwaves in Europe

R. Sorrentino, T. Oxley, G. Salmer

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, 2002, 50, pp.1056-1073. ⟨hal-00147860⟩

• Article dans une revue

Numerical and experimental study of a 0,25 µm fully-depleted silicon on insulator MOSFET : static and dynamic RF behaviour

R. Rengel, J. Mateos, D. Pardo, T. Gonzales, M.J. Martin, Gilles Dambrine, Francois Danneville, J.P. Raskin

Semiconductor Science and Technology, 2002, 17, pp.1149-1156. ⟨hal-00147834⟩

• Communication dans un congrès

Luminescence properties of InAs dots grown by molecular beam epitaxy on metamorphic InxAl1-xAs (0.33 < x < 0.52) buffer layers

D. Vignaud, Y. Cordier, P. Miska, D. Ferré

28th International Symposium on Compound Semiconductors, 2002, Japan. pp.537-542. ⟨hal-00250216⟩

• Communication dans un congrès

Optimisation of abrupt emitter-base junction for heavily Be-doped InP/In0.53Ga0.47As heterojunction bipolar transistor

E. Lefebvre, M. Zaknoune, F. Mollot

14th Indium Phosphide and Related Materials Conference, IPRM 2002, 2002, Sweden. pp.615-618. ⟨hal-00250210⟩

• Communication dans un congrès

Réalisation technologique d’un transistor à effet de champ dans la filière GaN

B. Boudart

Ecole Thématique CNRS : Matériaux Nitrures d'Eléments III, 2002, La Plagne, France. ⟨hal-01654488⟩