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Mechanical damage assessment of polymer-matrix composites using active infrared thermography

Walid Harizi, S. Chaki, Gérard Bourse, Mohamed Ourak

The present work uses an active form of the infrared (IR) thermography technique for monitoring and characterization of the damage of glass fibers reinforced Polymer-Matrix Composites (PMCs) following an experimental protocol based on a monotonic tensile test with constant stress steps. The active…

Composites Part B: Engineering, 2014, 66, pp.204-209. ⟨10.1016/j.compositesb.2014.05.017⟩. ⟨hal-01009971⟩

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Technique de mesure du facteur de bruit différentiel avec un analyseur de réseau 4-ports

Yogadissen Andee, Jérôme Prouvée, François Graux, Francois Danneville

Ce papier présente une nouvelle méthode pour la mesure du facteur de bruit différentiel. Cette approche consiste à mesurer les paramètres S et les puissances de bruit en sortie du circuit différentiel directement sur un analyseur de réseau 4-ports. Elle ne nécessite aucun coupleur qui compliquerait…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018395⟩

• Communication dans un congrès

Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018416⟩

• Communication dans un congrès

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩

• Communication dans un congrès

On wafer silicon integrated noise source characterization up to 110 GHz based on germanium-on-silicon photodiode

Sandrine Oeuvrard, Jean-Francois Lampin, Guillaume Ducournau, Sylvie Lepilliet, Francois Danneville, Thomas Quemerais, Daniel Gloria

In this work, a new concept of photonic noise source has been developed and characterized, based on Germanium-on-Silicon high speed photodiode (GeHSPD). This photodiode RF output power has been preliminary characterized up to 210 GHz, using a dedicated optoelectronic bench and demonstrating…

27th IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures, ICMTS 2014, 2014, Udine, Italy. pp.150-154, ⟨10.1109/ICMTS.2014.6841484⟩. ⟨hal-01055046⟩

• Communication dans un congrès

InAs based Esaki tunnel diodes

Vinay Kumar Chinni, L. Desplanque, Mohamed Zaknoune, Xavier Wallart

We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy discontinuities on the tunneling current of the device. The results are very…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018430⟩

• Communication dans un congrès

Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur silicium

Léon-Thierry Okala, Marie Lesecq, Philippe Altuntas, Jean-Claude de Jaeger

Cet article présente un procédé de fabrication de transistors HEMTs InAlN/GaN et AlGaN/GaN, en lithographie optique, sur substrat Si(111). Les mesures de Hall et TLM ont permis d'évaluer la résistance de contact, la résistance carrée, la mobilité et la densité de porteurs. La caractérisation…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020314⟩

• Communication dans un congrès

Engineering of oxide based resistive switching for neuromorphic computing

F. Alibart, Selina La Barbera, G. Sassine, N. Najjari, Dominique Vuillaume

Journées Nationales du GdR OXYFUN " Oxydes fonctionnels : du matériau au dispositif ", 2014, Autrans, France. ⟨hal-01055005⟩

• Communication dans un congrès

Conception d'un filtre accordable à partir de films minces ferroélectriques

Areski Ghalem, Freddy Ponchel, Denis Remiens, Tuami Lasri

Au sein de cet article, un filtre agile en fréquence utilisant des capacités ferroélectriques a été réalisé. Les capacités interdigitées (IDC) sont réalisées à partir de films minces ferroélectrique de titanate de baryum et de strontium (BST). Après la caractérisation hyperfréquence des capacités,…

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01020470⟩

• Communication dans un congrès

Ferroelectric thin films working at microwave frequency for reconfigurable devices on silicon substrate: performances comparison between BST, PST

Freddy Ponchel, Denis Remiens, Areski Ghalem, Tuami Lasri

4th International Meeting on Dielectric Materials, May 2013, Marrakech, Morocco. ⟨hal-03659197⟩