Antoine Guitton
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Séminaire du département mécanique "Caractérisation non destructive des défauts cristallins dans les échantillons en vrac"

Vous êtes cordialement invités à participer au séminaire de Antoine Guitton, Professeur au LEM3, Université de Lorraine.

  • Le 18/06/2025

  • 10:00 - 11:00
  • Séminaire
  • Campus Mont Houy
    Bâtiment CISIT
    Amphi Thierry Tison

La microscopie électronique est une technique largement utilisée pour analyser les micro et nanostructures des matériaux cristallins. Deux principaux types de microscopes électroniques permettent d'obtenir des informations complémentaires : la microscopie électronique à transmission électronique (TEM) à l'échelle micro/nano et la microscopie électronique à balayage (SEM) à l'échelle macro/mésoscopique.

La TEM est bien établie pour caractériser les défauts cristallins à des échelles submicroniques et nanométriques dans des feuilles minces transparentes aux électrons (environ 100 nm d'épaisseur). Ces études détaillées fournissent des informations cruciales pour comprendre le comportement macroscopique du matériau.

Cependant, la caractérisation des défauts cristallins ne se limite pas aux échantillons de feuilles minces observés par TEM. Le MEB peut également offrir un contraste de diffraction dans les matériaux en vrac grâce à la canalisation des électrons. Ce phénomène se produit lorsque les électrons se déplacent le long des plans cristallins, ce qui permet une pénétration plus profonde avant la diffusion. La variation de la rétrodiffusion variable des électrons provenant de différentes orientations cristallines génère un contraste d'orientation, permettant l'imagerie des défauts cristallins.

L'imagerie de contraste par canalisation d'électrons (ECCI) est une technique non destructive qui permet d'obtenir une imagerie des défauts sous la surface (jusqu'à environ 100 nm de profondeur) sur des échantillons en vrac de la taille d'un centimètre à l'intérieur d'un MEB. Cette technique exploite la variation significative du rendement des électrons rétrodiffusés (BSE) en fonction de l'orientation du cristal par rapport au faisceau d'électrons incident ou à l'axe optique du MEB.

Grâce à ces capacités, l'ECCI est devenu un outil puissant pour explorer de nouvelles frontières dans la recherche fondamentale et industrielle. Cette présentation fournira une vue d'ensemble de la technique, couvrant sa physique sous-jacente et ses diverses applications dans ces domaines.